碳化硅MOSFET基于栅压延时关断方法的结温监测技术研究

准确监测功率器件结温一直是器件厂商及应用端非常重要的一项工作。主流的温敏电参数法由于响应速度快、测量准确,被广泛地应用于各个领域。目前在硅基器件应用上已相对成熟,然而由于碳化硅器件的高开关特性及栅极氧化层缺陷,采用电参数法会产生更强烈的寄生振荡与高频EMI噪声,这对于测量器件初始温度会带来很大的误差,因此文章提出一种栅压延时关断的改进电参数法测试方案,抑制器件关断阶段的VDS振荡,通过仿真及电路应用验证,以及热阻测试对比分析,验证了这种栅压延时方案能够有效抑制波形振荡,达到准确测量器件结温的目的。