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晶体管材料大变革,响应速度提高耗电降低
1
《新材料产业》 2001年第1期40-40,共1页
通过根本改变晶体管材料,利用低于0.1μm的制造工艺生产出的LSI将突破以往在芯片动作的高速化和低耗电方面的极限。 美国University Of Texas at Austin将栅极绝缘薄膜材料由原来的二氧化硅(sio_2)
关键词 晶体管 响应速度 栅极绝缘薄膜材料 二氧化铪 阈值电压
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