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基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法研究
1
作者
陈一凡
王景霖
+1 位作者
崔江
王友仁
《机械制造与自动化》
2023年第4期193-195,201,共4页
针对碳化硅MOSFET运行工况复杂、易造成器件栅极老化、影响电力系统可靠性的问题,提出一种基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法。以碳化硅MOSFET的阈值电压和体二极管通态压降作为栅极老化的敏感表征参数,设计、搭建测试实验...
针对碳化硅MOSFET运行工况复杂、易造成器件栅极老化、影响电力系统可靠性的问题,提出一种基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法。以碳化硅MOSFET的阈值电压和体二极管通态压降作为栅极老化的敏感表征参数,设计、搭建测试实验平台,获取变测量条件下的电参数值,结合BP神经网络提取健康器件与老化器件样本数据间的特征差异,充分挖掘器件的可靠性信息。实验结果表明:该方法可对碳化硅MOSFET的栅极老化状态进行较为准确的检测和评估。
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关键词
碳化硅MOSFET
栅极老化
阈值电压
BP神经网络
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职称材料
基于体效应的SiC MOSFET器件栅极老化监测方法研究
被引量:
4
2
作者
孟鹤立
邓二平
+1 位作者
应晓亮
黄永章
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第3期1084-1092,共9页
长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象。由于栅极老化的偏置温度不稳定性存在应力撤出后的恢复现象,如能在可靠性实验中快速、准确地监测SiC MOSFET器件的栅极老化变化量,...
长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象。由于栅极老化的偏置温度不稳定性存在应力撤出后的恢复现象,如能在可靠性实验中快速、准确地监测SiC MOSFET器件的栅极老化变化量,对可靠性研究具有重要意义。因此,文中提出一种新的栅极老化监测方法。该方法以体效应下的阈值电压VTH(body)为基础,建立理论模型来描述VTH(body)和栅极老化之间的关系。提出在栅极电压开关过程中从体二极管电压–栅极电压曲线中得到VTH(body)的方法,并详细研究实验参数对VTH(body)的影响。此外,通过高温栅偏实验对VTH(body)的实用价值进行验证,并与栅极老化参数阈值电压VTH进行对比。实验结果证明,提出的新型栅极老化监测方法可以实现栅极老化的快速、准确及非恒温环境监测。
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关键词
栅极
氧化
老化
偏置温度不稳定性
体效应
碳化硅(SiC)MOSFET
高温栅偏
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职称材料
题名
基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法研究
1
作者
陈一凡
王景霖
崔江
王友仁
机构
南京航空航天大学自动化学院
航空工业上海航空测控技术研究所
故障诊断与健康管理技术航空科技重点实验室
出处
《机械制造与自动化》
2023年第4期193-195,201,共4页
基金
航空科学基金项目(201933052001)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NS2021021)。
文摘
针对碳化硅MOSFET运行工况复杂、易造成器件栅极老化、影响电力系统可靠性的问题,提出一种基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法。以碳化硅MOSFET的阈值电压和体二极管通态压降作为栅极老化的敏感表征参数,设计、搭建测试实验平台,获取变测量条件下的电参数值,结合BP神经网络提取健康器件与老化器件样本数据间的特征差异,充分挖掘器件的可靠性信息。实验结果表明:该方法可对碳化硅MOSFET的栅极老化状态进行较为准确的检测和评估。
关键词
碳化硅MOSFET
栅极老化
阈值电压
BP神经网络
Keywords
SiC MOSFET
gate oxide degradation
threshold voltage
BP neural network
分类号
TP277.2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
基于体效应的SiC MOSFET器件栅极老化监测方法研究
被引量:
4
2
作者
孟鹤立
邓二平
应晓亮
黄永章
机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
青浦供电公司
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第3期1084-1092,共9页
基金
国家自然科学基金项目(52007061)
中央高校基本科研业务费专项资金项目(2019MS001)。
文摘
长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象。由于栅极老化的偏置温度不稳定性存在应力撤出后的恢复现象,如能在可靠性实验中快速、准确地监测SiC MOSFET器件的栅极老化变化量,对可靠性研究具有重要意义。因此,文中提出一种新的栅极老化监测方法。该方法以体效应下的阈值电压VTH(body)为基础,建立理论模型来描述VTH(body)和栅极老化之间的关系。提出在栅极电压开关过程中从体二极管电压–栅极电压曲线中得到VTH(body)的方法,并详细研究实验参数对VTH(body)的影响。此外,通过高温栅偏实验对VTH(body)的实用价值进行验证,并与栅极老化参数阈值电压VTH进行对比。实验结果证明,提出的新型栅极老化监测方法可以实现栅极老化的快速、准确及非恒温环境监测。
关键词
栅极
氧化
老化
偏置温度不稳定性
体效应
碳化硅(SiC)MOSFET
高温栅偏
Keywords
gate oxide degradation
bias temperature instability
body effect
silicon carbide(SiC)MOSFET
high-temperature gate bias
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于BP神经网络的碳化硅MOSFET栅极老化监测方法研究
陈一凡
王景霖
崔江
王友仁
《机械制造与自动化》
2023
0
下载PDF
职称材料
2
基于体效应的SiC MOSFET器件栅极老化监测方法研究
孟鹤立
邓二平
应晓亮
黄永章
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2021
4
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职称材料
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