期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究
1
作者
曾传滨
海潮和
+1 位作者
李多力
韩郑生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1135-1139,共5页
测试了不同静态栅极触发电压(输入电压)下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压(即将闩锁时的输出电压),发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压-输出电压曲线是动...
测试了不同静态栅极触发电压(输入电压)下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压(即将闩锁时的输出电压),发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压-输出电压曲线是动态栅极触发CMOS闩锁效应敏感区域与非敏感区域的分界线。通过改变输出端负载电容,测试出了不同电源电压下CMOS闩锁效应需要的栅极触发电压临界下降沿,并拟合出了0 pF负载电容时的临界下降沿,最终得出了PDSOI CMOS电路存在的CMOS闩锁效应很难通过电学方法测试出来的结论。
展开更多
关键词
金属氧化物半导体
绝缘体上硅
闩锁
敏感区域
栅极触发
临界下降沿
下载PDF
职称材料
题名
栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究
1
作者
曾传滨
海潮和
李多力
韩郑生
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1135-1139,共5页
文摘
测试了不同静态栅极触发电压(输入电压)下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压(即将闩锁时的输出电压),发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压-输出电压曲线是动态栅极触发CMOS闩锁效应敏感区域与非敏感区域的分界线。通过改变输出端负载电容,测试出了不同电源电压下CMOS闩锁效应需要的栅极触发电压临界下降沿,并拟合出了0 pF负载电容时的临界下降沿,最终得出了PDSOI CMOS电路存在的CMOS闩锁效应很难通过电学方法测试出来的结论。
关键词
金属氧化物半导体
绝缘体上硅
闩锁
敏感区域
栅极触发
临界下降沿
Keywords
MOS
SOI
latch
sensitive region
gate trigger
critical fall time
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究
曾传滨
海潮和
李多力
韩郑生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部