一种用于行波管的毫微秒栅极调制器

介绍了一种用于行波管发射机的固态栅极调制器的组成及原理,叙述了开关管的选择以及脉冲变压器的特点,并给出了行波管调制波形及测试结果。

栅极调制纳米线的场增强因子计算

利用悬浮球模型和镜像电荷法计算了栅极调制纳米线的顶端表面电场,给出了场发射增强因子表达式β=1/2(3.5+L/r0+W),式中L与r0分别是纳米线长度与顶端表面曲率半径,W是由栅孔半径R、阴极与栅极间距d以及纳米线自身几何参数所决定的函数.结果表明,纳米线长径比对场增强因子的影响很显著;当阴极与栅极间距较近时,场增强因子随d的增加而减小,而当栅极处于无穷远时,纳米线场增强因子的表示式变成β0=3.5+L/r0;栅孔半径越小,场增强因子就越大,当栅孔半径趋于零时,场增强因子为β=β0+1.202(L/d)3.

一种宽适应性栅极浮动板调制器的实现方法

浮动板调制器具有输出波形好、功率小、波形变化灵活等特点，在中小功率控制极微波管和行波管中被广泛使用。本文介绍了一种采用功率MOSFET浮动板调制器的设计，对调制器的基本原理和关键组成部分进行详细说明。对调制器的主要组成部分，如脉冲形成电路、隔离驱动，和关键器件选择，即MOSFET开关管的选择进行了较为详细的介绍。最后介绍了该调制器的设计实例，给出了性能测试结果和输出波形，该浮动板调制器满足行波管栅极端使用要求，具有转换速度快，过冲小等优点。

固态功率放大器栅极与漏极双脉冲调制技术的设计与应用

主要设计应用了一款栅极调制与漏极调制相结合的固态功率放大器双脉冲调制电路。设计的双脉冲调制电路主要解决了固态功率放大器放大管在漏极上电过程中引起的芯片自激干扰问题。主要采用大电流NPN三极管BU407和高速大电流低内阻的P沟道MOS管IRF4905为固态功率放大器设计了漏极脉冲调制控制电路,采用高速功率MOSFET驱动器MC33152为固态功率放大器设计了栅极脉冲调制控制电路,双脉冲调制电路可直接控制固态功率放大器的工作状态,消除单一调制电路引起的自激等问题。

浮动板栅极脉冲调制器的设计

介绍了浮动板栅极脉冲调制器设计的方法、控制逻辑，器件选取的依据。通过实验得出该浮动板栅极脉冲调制器具有输出波形好，功率小，波形变化灵活，通用性强的特点，有利于实现高重频和高占空比。

高速低功耗GaN功率放大器调制器

为了满足现代雷达调制速度需求,文章基于CMOS工艺设计了一种高速低功耗GaN功率放大器调制器芯片.芯片采用栅极调制方式,调制频率高达10 MHz.调制输出在正常栅压Vg和-5 V之间,Vg采用五位并行数字控制位编程输出,输出范围在-3.2 V到-1.2 V之间,覆盖了GaN放大器栅极所需驱动电压的所有范围.测试结果表明:接20 W GaN功率放大器时,调制上升时间为2.8 ns,下降时间2.0 ns,10 MHz工作频率下功耗5 mA.此芯片采用CMOS工艺流片,芯片面积2.4 mm×3.2 mm.

微波固态功率放大器脉冲调制技术的研究

本研究设计完成了一款高速微波固态功率放大器漏极脉冲调制电路,脉冲前后沿小于50ns。主要采用高速大电流低内阻的PMOS管为微波固态功率放大器设计了漏极脉冲调制控制电路,较传统电路有很大改进,固态功率放大器的工作状态可随意变换,有功率容量大、效率高、隔离性高等优点。最终基于该调制电路设计了一款C波段高速微波功率放大器,放大器工作频率在5.5GHz±200MHz,放大器实现了低功耗工作,输出信号前后沿小于50ns,降低了工作热损耗。

一种宽带脉冲行波管发射机的设计

介绍了一种宽带脉冲行波管发射机的设计。主要叙述了该系统的主要性能指标及工作原理,并对发射机内部射频放大链、阴极和收集极电源、灯丝栅极调制器等功能电路的设计进行了描述,最终给出了实验结果。

一种多注速调管发射机的设计

介绍了一种多注速调管发射机。在数百千瓦功率电平上,多注速调管具有频带宽、工作电压低、体积小、重量轻、增益和效率高等特点,可根据系统要求,设计出性能不同的发射机,所以许多雷达选用多注速调管作为末极发射管。文中对多注速调管的使用、高压电源和控保电路进行了阐述,着重介绍了栅极调制器设计方法及刚管的参数选择,最后给出本系统的测试结果。

用于功率放大器的随温度可调负压偏置电路

设计了一种应用于GaN功率放大器栅极调制的随温度可调负压偏置电路。电路由电压基准模块、温度传感器模块、比较器阵列以及误差放大器及其对应的功率管与反馈电阻等组成,通过基准电压与温度传感器输出电压的比较,输出数字控制信号到反馈电阻中的可变电阻模块,改变可变电阻阻值进而改变电路输出电压,实现芯片电压随温度可调。电路结构简单、易于实现、应用方便,同时电路中引入了修调电阻结构,极大提高了基准输出精度。电路芯片面积为1.10 mm×0.64 mm,采用0.5μm CMOS工艺进行了流片并完成了后期测试验证。结果表明,芯片可实现输出电压的随温度可调,有效解决了GaN功率放大器在相同的栅极偏置电压下输出功率随温度升高而减小的问题。

宽频带高纯谱脉冲行波管发射机的设计

介绍一部脉冲行波管发射机的设计 ,重点叙述高压电源、控保电路以及栅极调制器电路的设计。最后给出发射机的频谱及 RF包络的图形。

低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究

制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane(OTS),phenyltrimethoxysilane(PhTMS),来比较界面修饰层对器件性能的影响.同时对带有PhTMS修饰层的OTFTs器件低栅极电压调制下的场效应行为及其载流子的传输机理进行研究.结果得到,当|VGS|<0.1 V时,载流子在如此小的栅极电压调制下已经不能过多在半导体有源层与栅极绝缘层之间的界面处积聚,使OTFTs器件的输出电流保持相对的平衡.但是,器件的调制栅压在-0.001V时,器件仍然有好的输出特性,当VDS为-20 V时,器件的场效应迁移率为3.22×10-3cm2/Vs,开关电流比为1.43×102,阈值电压为0.66 V.