一种通道复用的高可靠性隔离IGBT栅极驱动器

采用SIMC 0.18 um BCD工艺,设计一种输出电流2 A,隔离电压5 kV,CMTI为100 kV/us的单通道隔离IGBT栅极驱动器,该IGBT栅极驱动器集成双侧欠压保护、退饱和保护,具有高可靠性.为节省芯片面积和成本,提出一种通道复用技术,将高压侧退饱和状态监测信号(FLTH)和欠压闭锁状态监测信号(RDH)编码后使用一个数字隔离通道同时传输至低压侧,简化电路结构,节省芯片面积约10%.当发生欠压闭锁时,隔离式IGBT栅极驱动器不工作;当未发生欠压闭锁时,可以通过编码信号的脉冲宽度来区分是否发生退饱和状态.仿真与测试结果表明:采用通道复用技术可以准确的将高压侧的退饱和状态监测信号和欠压闭锁状态监测信号传输至低压侧.

用于车载激光雷达的高速窄脉冲栅极驱动器

针对车载激光雷达高频率、高精度的探测需求,提出了一种高速窄脉冲栅极驱动器,用于驱动激光雷达发射系统中的GaN HEMT开关管。基于0.18μm CMOS工艺进行驱动器的电路与版图设计,采用新型施密特触发器结构,并集成欠压锁存和过温保护功能。该驱动器选用晶圆级芯片封装(WLCSP)技术,最大程度上降低栅极路径上的寄生电感。对芯片进行测试,结果表明:驱动器最小输出脉冲宽度为1.06 ns,其上升时间为480 ps,下降时间为380 ps,输入信号到输出信号的延迟时间为3 ns,脉冲频率最高可达60 MHz。该驱动器具有脉宽窄、延时短、频率高、体积小等特点,可应用于车载激光雷达系统。

电容隔离式栅极驱动电路设计

针对功率半导体器件不断提升的开关频率和工作电压等级使得传统的栅极驱动电路面临着传输延时长、共模瞬态抑制能力(CMTI)不高等一系列缺点,设计了一种电容隔离式的栅极驱动电路,该驱动电路分为低压侧发射端和高压侧接收端2个部分。提出了一种预放大器结构可增强栅极驱动电路的抗噪声能力;也提出了一种改进型包络解调结构可有效降低信号解调的脉冲宽度失真。后仿真结果表明:此栅极驱动电路的CMTI能力高达100 kV/μs,信号典型传输延时为77 ns,脉冲宽度失真为2 ns。

TI DRV8300100V三相BLDC栅极驱动器解决方案

TI公司的DRV8300是100V三个半桥栅极驱动器,能驱动高边和低边N沟功率MOSFET.DRV8300D能采用外接的阴极负载二极管和外接电容产生正确的栅极驱动电压,用于高边MOSFET;而DRV8300N能采用外接的阴极负载二极管和外接电容产生正确的栅极驱动电压,用于高边MOSFET.GVDD用来产生驱动低边MOSFET的栅极电压.栅极驱动架构支持峰值高达750m A源电流和1.5-A沉电流.

优化SiC MOSFET的栅极驱动

在高压开关电源应用中,相较传统的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频(数百千赫兹)开关,但它们不能用于非常高的电压(>1000V)。而IGBT虽然可以在高压下使用,但其“拖尾电流”和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiCMOSFET则两全其美,可实现在高压下的高频开关。然而,SiCMOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。

前沿技术 如何优化隔离栅级驱动电路?标准栅极驱动光电耦合器如何工作?

栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器,来控制功率MOSFET或IGBT的栅极。它为MOSFET或IGBT的栅极输入供应所需的峰值充电电流,来打开器件。该目标通过向功率半导体的栅极提供正压(V_(OH))来实现。若要关闭MOSFET或IGBT,需拉起驱动器件的栅极至0电压(V_(OL))或更低。

通过栅极驱动器提高开关电源功率密度

序言:像许多电子领域一样,进步持续发生。目前,在3.3kW开关电源(SMPS)中,产品效率高达98%,IU结构尺寸,其功率密度可达100W/in^(3)。这之所以可以实现是因为我们在图腾柱PFC级中明智地选择了超结(SJ)功率MOSFET(例如CoolMOS^(TM)),碳化硅(SiC)MOSFET(例如CoolSiC^(TM)),而且还采用了氮化镓(GaN)功率开关(例如CoolGaN^(TM))用于400V LLC应用。

英飞凌新推出的160V MOTIX三相栅极驱动器IC集成了电源管理单元、电流感应放大器和过流保护功能

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)专为汽车和工业电机控制应用开发的MOTIXTM系列能够提供具有不同集成度的丰富产品组合。为了进一步壮大产品阵容,英飞凌推出了MOTIX三相栅极驱动器IC 6ED2742S01Q。这款160V的绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器集成了一个电源管理单元(PMU),并且采用了底部带有裸露焊盘的QFN-32封装,具有良好的导热性能。

几种IGBT与功率MOSFET栅极驱动电路的比较与应用

介绍了两种IGBT和功率MOSFET栅极驱动电路模块及一种经济实用的驱动电路.

利用附加电感实现高频功率MOSFET谐振栅极驱动

通过在功率MOSFET栅极驱动回路增加附加电感,利用栅极电容与附加电感的能量交换实现谐振栅极驱 动,从而降低驱动功率损耗。保证该电路可以在高频情况下正常运行。实验验证了该方法的正确性与实用性。

一种WXGA液晶显示器的非晶硅栅极驱动电路

介绍了一种采用非晶硅薄膜晶体管制作的14.1英寸WXGA(1280×RGB×800)液晶显示器栅极驱动电路.该栅极驱动电路的主要特点是电路中所有的薄膜晶体管器件均不会长期工作在直流偏置电压下.这种电路结构设计能够极大地减小非晶硅薄膜晶体管的阈值电压漂移,从而保证该栅极驱动电路能够长期可靠地工作.实验结果表明:非晶硅薄膜晶体管制作的栅极驱动电路能够正常地工作,并能够应用于TFT-LCD中.

IR2110高压MOS栅极驱动器的功能及应用

ＩＲ２１１０高压ＭＯＳ栅极驱动器的功能及应用ＦｕｎｃｔｉｏｎｓａｎｄＡｐｐｉｌｃａｔｉｏｎｓｏｆＥＲ２１１０ＨｉｇｈＶｏｌｇａｇｅＭＯＳＧａｔｅＤｒｉｖｅｒ￥／／华中理工大学熊腊森（武汉４３００７４）１前言ＩＲＺｉ１０是ＩＲ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ...

高压浮动MOSFET栅极驱动技术

本文介绍了高压浮动MOSFET的应用场合、栅极驱动的的几种常用技术及其优缺点,详细论述了采用IR2125芯片的自举工作模式及充电泵模式的高压浮动MOSFET栅极驱动电路。同时论述了高压浮动MOSFET在汽车制动器中的应用。

MOSFET栅极驱动的优化设计

介绍了MOS管的电路模型、开关过程、输入输出电容、等效电容、电荷存储,及其对MOS管驱动波形的影响和驱动波形的优化设计实例。

大功率IGBT栅极驱动电路的研究

在大功率IGBT应用系统中,脉冲变压器隔离的栅极驱动电路由于能得到相对较高的隔离电压,可实现较高开关频率等优点,被广泛应用。在高压大电流IGBT特性分析的基础上,从实践出发对IGBT驱动电路的影响因素做了深入的研究,并探讨了IGBT栅极驱动电路设计注意的几个问题。对很有实际应用价值的脉冲变压器隔离的IGBT栅极驱动电路及其相应芯片进行了分析研究。由此可以更深刻地理解IGBT的驱动电路及其影响因素,这对正确使用IGBT器件及其驱动电路的设计有一定的实用价值。

IGBT调制器工作状态及其栅极驱动特性分析(上)

叙述了固态调制器过压和欠压状态的特点,伏安特性曲线和负载线在工程设计中的重要性。介绍了160个IGBT开关管组成的串联开关调制器工作状态选择,不同的工作状态对驱动电路设计提出了不同的要求和为了满足技术要求,在电路上必须采取的技术措施。给出的IGBT栅极驱动特性、密勒效应的数学表达式及其对栅极电压U_(GE)波形的影响,为后面将要介绍的部分设计分析奠定了专业理论基础。

单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117

:IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制 ,同时剖析了它的内部结构和工作原理 。

中高压SiC IGBT智能栅极驱动研究及应用

提出一种电流源型智能化抗电磁干扰(EMI)的有源中压栅极驱动电路,该驱动电路采用传统驱动芯片集成设计而来,不仅可提供先进的栅极驱动,且具备隔离保护和状态监测功能。采用15 kV中压SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件设计双脉冲测试平台进行对比传统电压源型驱动的实验,测试结果显示所提电流源型驱动在有效降低损耗的情况下,兼顾改善电流变化率,并具备快速关断和降低保护响应时间的优势。

确定IGBT栅极驱动电阻和电容参数的方法

本文主要介绍IGBT栅极驱动电阻和电容的作用及选取原则,阐述如何确定IGBT栅极驱动电阻、电容参数的方法和步骤,提供了具体的试验实例,并结合实例中的试验数据对不同驱动电阻和电容情况下IGBT开关过程各参数的变化情况进行了详细的分析。

无磁心变压器在IGBT栅极驱动器中的应用

无磁心变压器技术与电平位移技术相比具有电流隔离功能,已成为了IGBT栅极驱动器的核心技术,无磁心变压器既可以代替应用电平位移技术的半桥驱动器,又可以代替光耦合器。