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非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用
1
作者
邵雪
余志平
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期584-587,共4页
为了研究纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响,在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极-源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示:非对称栅压的控制方法使得器...
为了研究纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响,在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极-源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示:非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。
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关键词
双栅器件
超薄沟道
量子漂移扩散模型
栅极-源漏极交叠
原文传递
题名
非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用
1
作者
邵雪
余志平
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期584-587,共4页
基金
国家"九七三"基础研究基金项目(G200036502)
文摘
为了研究纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响,在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极-源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示:非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。
关键词
双栅器件
超薄沟道
量子漂移扩散模型
栅极-源漏极交叠
Keywords
DG
-
MOSFET
ultra
-
thin body (UTB)
quantumdrift
-
diffusion (QDD)
gate overlap
分类号
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用
邵雪
余志平
《清华大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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