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题名1200V大容量SiC MOSFET器件研制
被引量：4
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作者
刘新宇
李诚瞻
罗烨辉
陈宏
高秀秀
白云
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机构
中国科学院微电子研究所
新型功率半导体器件国家重点实验室
株洲中车时代半导体有限公司
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期2313-2318,共6页
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基金
国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No.2017YFB0102302)。
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文摘
采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.
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关键词
碳化硅
MOSFET
栅极bus-bar
JFET注入
大容量器件
低漏电
高温半导体
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Keywords
SiC
MOSFET
gate bus-bar
JFET implantation
high capacity device
low leakage current
high temperature semiconductor
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分类号
TN323
[电子电信—物理电子学]
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