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题名IGBT器件栅极漏电问题研究
被引量:1
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作者
巨峰峰
姚伟明
翁长羽
刘道广
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机构
扬州国宇电子有限公司
清华大学
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期738-742,共5页
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文摘
IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键。栅极漏电问题主要由栅氧化层质量、多晶硅栅形貌以及栅极与发射极之间的隔离等问题所致,通常造成栅极短路漏电的原因比较容易发现,但栅极轻微漏电的原因比较复杂,需要通过科学的分析,才能找到问题的根源。通过对典型栅极漏电(栅极间呈现二极管特性)问题的调查,总结了解决问题的思路和方法,对IGBT芯片制造者或器件应用者有一定的参考作用。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
漏电
短路
二极管特性
磷硅玻璃(PSG)
栅氧(gox)
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Keywords
insulated gate bipolar transistor (IGBT)
leakage
short circuit
diode characteristics
phoshosilicate glass (PSG)
gate oxide (gox)
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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