一种基于0.18-μm CMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析

本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2d B至4d B,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50d B.整个电路的直流功耗小于32m W.

应用于ISM频段的高线性混频器的设计

设计了一种用于ISM频段的正交下变频混频器。在普通的吉尔伯特混频器的基础上,优化电路结构,采用共栅跨作为混频器的导级,同时混频器采用共跨导级正交结构,并利用动态电流注入技术减小噪声和提高混频器的增益。设计采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,1.8 V电压供电,仅消耗电流4 m A。仿真结果显示,混频器增益为10.16 d B,1 d B压缩点大约为0 d Bm,噪声系数为10.38 d B,电路性能参数满足预期要求。