VDMOS栅源漏电的经验解析

针对VDMOS的栅源漏电(Igss)机理进行分析,对于平面型VDMOS、沟槽型VDMOS栅源漏电的各种原因进行分析,并列出各种芯片生产实例,提出相应工艺改善措施进行总结。

基于TEOS-O_2-N_2淀积SiO_2工艺研究

采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用。主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试。通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果。

Trench VDMOS制造流程中多晶相关工艺问题研究

Trench VDMOS的制造流程中,要进行多晶的淀积、回蚀、清洗,其效果的好坏会直接影响到器件的电学参数,诸如Vth、Igss等。在淀积工艺中,要重点控制沉积速率、炉管清洁周期,防止产生沟槽内多晶膜层出现缝隙以及沟槽外多晶层出现凸起。在回蚀工序,要重点控制刻蚀反应物,防止造成多晶残留。清洗工序,通过选择不含水分的溶剂,避免大量水痕缺陷的产生。