1
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SOI LDMOS栅漏电容特性的研究 |
俞军军
孙伟锋
易扬波
李海松
陆生礼
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
3
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2
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基于LDMOS栅漏电容特性的研究 |
张志伟
高珊
陈军宁
罗扣
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《电力电子技术》
CSCD
北大核心
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2012 |
0 |
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3
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漏栅寄生电容对IGBT工作特性影响的研究 |
张广军
耿正
李利群
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《电焊机》
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1999 |
2
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4
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浮动电极对屏蔽栅沟槽型MOSFET特性的影响 |
湛涛
冯全源
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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5
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钝化介质层对功率GaAs MESFET的栅-漏击穿特性影响 |
费庆宇
黄云
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《电子产品可靠性与环境试验》
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2004 |
0 |
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6
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漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响 |
吴晓鹏
杨银堂
董刚
高海霞
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
0 |
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7
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多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型 |
邓婉玲
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
2
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8
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复合多晶硅栅LDMOS的特性研究 |
洪琪
陈军宁
柯导明
刘磊
高珊
刘琦
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
0 |
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9
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一种高性能快速关断型槽栅MOS器件 |
樊冬冬
汪志刚
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《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
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2017 |
1
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10
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屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制 |
李飞
刘英坤
邓建国
胡顺欣
孙艳玲
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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11
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短沟MOS器件GIDL漏电的改善 |
顾祥
陈天
洪根深
赵文彬
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《电子与封装》
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2018 |
0 |
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12
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一种新型降低GIDL的纳米线环栅场效应晶体管 |
唐雅欣
孙亚宾
李小进
石艳玲
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2020 |
0 |
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13
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水冷发电机冷却水检漏装置的改造 |
张元友
孙金国
王淑芹
伊杰
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《煤炭技术》
CAS
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2000 |
0 |
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14
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10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究 |
文译
陈致宇
邓小川
柏松
李轩
张波
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2021 |
2
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15
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面向低压高频开关应用的功率JFET的功耗 |
田波
吴郁
黄淮
胡冬青
亢宝位
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《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
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2009 |
2
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16
|
一种改进型CLC电流型谐振逆变器 |
刘教民
李建文
李永刚
杨争艳
张军
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《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
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2011 |
1
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17
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表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响 |
杨林安
张义门
于春利
杨永民
张玉明
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《计算物理》
CSCD
北大核心
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2003 |
1
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18
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IGBT模型参数提取方法研究 |
张伟
王孟平
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《河南科学》
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2014 |
0 |
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19
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150V电荷耦合功率MOSFET的仿真 |
李蕊
胡冬青
金锐
贾云鹏
苏洪源
匡勇
屈静
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
1
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20
|
一款VDMOS半超结元胞结构的设计 |
刘铭
冯全源
庄圣贤
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《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
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2015 |
1
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