聚光型太阳电池表面栅电极的优化设计

对聚光型太阳电池表面栅极图形进行优化设计。对组成太阳电池表面栅电极的图形最小单元的各种功率损失进行了详细分析,得到了最佳栅电极间距的递推公式。优化计算了各种宽度的次栅之间的间距,并得到了相对应的功率损失比例。电极和半导体接触良好时,当次栅间距小于最佳值,电极的遮挡对于功率损失影响最大;而当次栅间距大于最佳值时,太阳电池体材料输运功率损失和次栅电极电流输运功率损失开始成为主要原因。对于高倍聚光型太阳电池来说,次栅电极的厚度相对要求厚一些。计算及分析结果可应用于聚光型太阳电池电极的设计中。

CCD用透明栅电极的制作

采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加。

太阳能电池埋栅电极制造新技术

介绍了用电镀法来制造太阳能电池的埋栅电极方法,对各镀层所需的溶液配制及操作工艺参数进行了详细的说明,通过与传统工艺的比较,可以看出采用新技术制造太阳能电池片,可有效降低栅线电极成本,提高电池片转换效率。

表面无小丘Al双层栅电极结构研究

利用ＤＳＣ方法研究了纯铝薄膜中的小丘现象，同时制备了Ａｌ双层栅电极Ｔａ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｌ和Ｍｏ／Ａｌ薄膜，并在不同温度下进行了退火处理，研究了双层结构中上层金属（Ｔａ、Ｃｒ和Ｍｏ）厚度对Ａｌ薄膜中小丘的抑制作用。实验结果表明，上层Ｔａ膜厚度在８０～９０ｎｍ左右（在本实验条件下）时，可得到表面无小丘的Ｔａ／Ａｌ薄膜栅材料。实验制备的表面无小丘 Ｔａ／Ａｌ、 Ｃｒ／Ａｌ和 Ｍｏ／Ａｌ等栅电极材料的电阻率均在 ７～２０μΩ·ｃｍ之间，基本满足现今对角线为 ２５～５１ｃｍ（１０～２０ｉｎ）大屏幕、高清晰度ＴＦＴ ＬＣＤ要求。

低阻α-Ta栅电极材料的制备与研究

研究了溅射Ｔａ膜的电学和结构特性与Ｎ２气分压的关系，并确定了电学性能稳定的低阻α－Ｔａ薄膜（电阻率３４μΩ·ｃｍ）的制备工艺条件。

优化了栅电极溅射工艺的难熔金属栅 MOS电容的性能(英文)

论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 .实验选取了合适的 Ti N厚度来减小应力 ,以较小的 Ti N溅射率避免溅射过程对栅介质的损伤 ,并采用了较高的 N2 / Ar比率在 Ti N溅射过程中进一步氮化了栅介质 .实验得到了高质量的 C- V曲线 ,并成功地把 Nss(表面态密度 )降低到了 8× 10 1 0 / cm2以下 ,达到了与多晶硅栅

对太阳能电池埋栅电极制造技术探讨

本文对采用新技术制造太阳能电池片,对传统工艺的改造可有效降低栅线电极成本,提高电池片转换效率进行了探讨分析。

高k材料/金属栅电极迈向大规模量产

到了45纳米技术节点,高介电常数绝缘材料和金属栅电极将被用于制造逻辑电路器件。而采用高金属功函数和能隙工程电荷陷阱的闪存也能从这些项技术中获益。

中科院实现太阳电池超细栅电极的喷印制造

中国科学院沈阳自动化研究所的研究人员采用喷墨印刷技术，成功制造出了高“高宽比”的太阳电池超细栅电极，实现了关键技术突破，并自主研发出了国内首台太阳电池超细栅电极喷墨打印系统样机。

MIS反型层太阳电池栅电极间距的研究

根据计算得出的ＭＩＳ／ＩＬＰ－Ｓｉ太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系，分析了太阳电池电极栅间距的尺寸范围，并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响。

深槽LIP太阳能电池栅线电极技术

介绍了深槽LIP太阳能电池栅线电极的制造方法,对LIP工艺及装置进行了详细的说明。通过试验表明,用新工艺制造的太阳能电池片的转换效率可达19.4%。讨论了与传统工艺相比较,深槽LIP太阳能电池片在光学和电学性能上的提升机理。

3,3′,5,5′-四甲基联苯胺在铂网栅光透电极上的薄层光谱电化学

采用薄层循环伏安法、薄层恒电位电解吸收光谱法、薄层单电位阶跃计时吸收法、薄层双电位阶跃计时吸收法等技术对3, 3′, 5, 5′-四甲基联苯胺(TMB)在B R缓冲溶液中于铂网栅光透电极上的电氧化性质进行了研究。TMB在pH=2 .0至pH<4 .0的B R缓冲溶液中为1步2电子电氧化过程,生成产物醌二亚胺,循环伏安图上表现为1对良好的氧化还原峰;在pH=4 0至pH<7. 0时为分步的2个单电子氧化过程,TMB首先被氧化为中间产物TMB自由基,然后自由基再被氧化为醌二亚胺,在循环伏安图上出现2对氧化还原峰;在pH>7 .0时为1步电氧化过程,产物为偶氮化合物,循环伏安图上为1对良好的氧化还原峰。测得了TMB的克式量电位E0′,电子转移数n。

利用PC2D优化高方阻均匀发射极电池的栅线电极

利用新型二维PC2D软件研究高方阻均匀发射极太阳能电池的栅线电极对电池性能的影响,通过对细栅线的宽度和排布方式的优化,增大填充因子,找到常规电池的效率极限。结果表明,在不采用复杂电池结构的情况下,以现有大规模生产工艺条件为基础,细栅线优化后(正面细栅线109根,线宽为40μm),在常规电池中能实现19.09%以上的效率。

薄膜太阳能电池栅线电极浆料的研究现状及发展趋势

综述并分析了薄膜太阳能电池栅线电极的性能要求,讨论银浆性能及制备高分辨率/大高宽比栅线电极的影响因素,介绍栅线电极用银浆的现状及其发展趋势。

太阳电池非等宽主栅前电极栅线的优化设计

为提高太阳电池转换效率,降低生产成本,分析太阳电池功率损失机制,建立非等宽主栅太阳电池总体相对功率损失模型。通过求解该模型得到太阳电池最佳前电极栅线形状尺寸参数。采用PC1D软件进行仿真分析得到太阳电池的光电转换效率,该结果与理论值匹配度较高;当主栅线数为2~6时,非等宽主栅结构太阳电池相比于典型的等宽栅线结构太阳电池,光电转换效率分别提高了0.10%、0.09%、0.10%、0.09%和0.09%;主栅线总体积分别减少了0.72、0.68、0.64、0.58和0.47 mm^(3);细栅线总体积的增加量不超过0.07 mm^(3)。表明非等主栅前电极栅线结构不仅提高了光电转换效率,也降低了银浆的使用量。

一种新颖的容栅数显位移传感器

本文介绍了容栅数显位移传感器（以下称传感器）的主要功能和测量原理，该传感器不仅体积小、功耗低、测量范围大，而且测量速度快，在全行程范围内可进行绝对测量。

多孔SiO_(2)为栅介质的IGZO基双电层薄膜晶体管

薄膜晶体管的低电压操作一直是研究者期待解决的问题。双电层电容具有巨大的电容,被认为是低功耗电子器件有希望的候选材料。我们以磁控溅射技术沉积多孔SiO_(2)固态电解质薄膜为介质层,制备了铟镓锌氧(InGaZnO:IGZO)基双电层薄膜晶体管(EDLT)。多孔SiO_(2)薄膜表现出大的双电层电容(0.2μF/cm^(2)),具有大的栅极调控作用。因此,IGZO基EDLT可以工作在<1V的栅极电压下。以铟镓锌氧InGaZnO(IGZO)为代表的氧化物半导体具有宽带隙(3.4eV)、高载流子迁移率、对可见光透明、可大面积均匀成膜、以及可低温甚至室温成膜(因而可在柔性衬底上制备)等特点,因此对柔性、透明、和可穿戴电子特别有利。基于IGZO的薄膜晶体管在平板显示器上已经得到了商业化应用,但是目前主要的挑战是功耗大。双电层薄膜晶体管(EDLT)由于其电解质具备丰富的可移动离子,在外加栅压的作用下,可移动的离子发生定向漂移,在栅电极/电解质和电解质/半导体的界面积累,形成双电层(EDL)。

内透明集电极IGBT开关特性及短路特性仿真研究

针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了缓冲层掺杂浓度、局域载流子寿命控制区位置及局域载流子寿命参数对ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性的影响。通过优化折中器件的缓冲层掺杂浓度、局域寿命控制区寿命参数和局域寿命控制区位置的关系,在器件特性满足要求的同时,改善器件的抗短路能力。文章最后给出一种可供参考的具有良好抗短路能力的IGBT器件设计方法,确定了缓冲层浓度的最低值和局域载流子寿命最大值,明确了局域寿命控制的合理范围。

制作金属栅的新方法

先进的栅堆垛技术的趋势与传统方法明显不同，传统方法中由氧化硅或氮氧化硅（SiON）制成的栅介质上端是重掺杂多晶硅的栅电极。虽然这些材料制作方便，但是换成金属栅和高k栅介质能在高晶体管速度和低电流泄漏方面获得更好的性能。