高透光率感性网栅膜的电磁屏蔽

在确保制作感性网栅膜后光学窗红外透射率下降小于5%的前提下,研究了影响感性网栅膜电磁屏蔽特性的主要因素。归纳了感性网栅膜红外透射率公式,运用含阻抗边界条件的谱域Galerkin法推导了周期结构金属网栅的电磁场积分方程,用周期矩量法计算出网栅的反射系数及透射系数,进而求出其电磁屏蔽效能;计算并分析了采用不同线宽、周期、衬底材料、衬底厚度时透明导电光窗(金属网栅膜)的电磁屏蔽效能。最后,采用激光直写、真空镀膜等工艺在ZnS基底上制作了周期为360μm×360μm、线宽为12μm,方块电阻分别为13Ω、25Ω的样片,采用自由空间法测试了2～18GHz频段的电磁屏蔽效能。测试与分析结果表明:当感性网栅膜在8～10μm波段引起的平均透射率下降小于2%的情况下,电磁屏蔽效能平均达到了20dB以上。结果显示网栅的光电特性是矛盾的,线宽与周期越小电磁屏蔽效果越好,同时应尽量降低网栅的表面电阻。

聚乙烯醇缩甲醛/甘油微栅膜的可控制备及其应用

通过大量实验,发现了制备不同聚乙烯醇缩甲醛/甘油微栅膜(简称Formvar膜)孔径的最优条件,即通过适当改变Formvar膜溶液中氯仿与甘油的比例,可制得所需孔径范围的微栅膜.文中对采用不同配比制备的微栅膜进行了电镜观察,将90%以上的孔径范围进行了统计测量.结果发现:随着Formvar膜溶液中氯仿与甘油的比例增大,微栅膜的孔径有逐渐变小的趋势.因此,在做不同微纳材料的高分辨显微分析研究时可以有选择地制备相应孔径的微栅膜来满足实际需求;同时文中还举例说明了微栅膜的实际应用.

不同孔径膜格栅对城市污水中污染物的截留效能及截留物发酵性能分析

文章研究不同孔径膜格栅对城市生活污水中污染物的截留效能,并利用厌氧发酵产酸技术来分析阐明膜格栅截留物的发酵产酸性能。首先,采用筛网孔径为0.5、0.7、1.0 mm的标准筛模拟不同孔径的网孔板式膜格栅对城市生活污水进行一级处理。结果表明,3种孔径的标准筛对总化学需氧量(TCOD_(Cr)),特别是颗粒态化学需氧量(颗粒态COD_(Cr))有较好的截留效果,但对溶解性化学需氧量(SCOD_(Cr))的截留效果并不明显。与此同时,3种孔径的标准筛对总氮和总磷的截留效果均要优于对氨氮和正磷酸盐,对固体悬浮物(SS)的去除率均在30%以上,其中0.5 mm孔径的标准筛的去除率最高,达到了43.31%,1.0 mm孔径的标准筛的去除率相对较低,但也达到了34.74%。随后,考察了在中温(35℃)、pH值=10的条件下,利用膜格栅截留物(栅渣)进行厌氧发酵产生挥发性脂肪酸(VFAs)。结果表明,在厌氧发酵周期内,发酵液中SCOD_(Cr)的浓度随着发酵时间的延长不断升高;而发酵液中VFAs的含量呈现出先增长后下降的趋势,并于第8 d达到最大值。可见,利用截留物水解发酵可以为生物脱氮工艺提供优质的碳源。

水浴弦栅水膜复合除尘装置性能实验研究

为了提高水浴除尘器的除尘效率,基于自行设计的一种水浴弦栅水膜复合除尘装置,测定了不同风量和风管浸没水面深度下单一水浴工况的除尘装置阻力及除尘效率。针对优选工况,在水浴除尘装置的基础上依次增加弦栅和增加弦栅及喷雾2种实验工况,并依次测定了不同工况的除尘效率。结果表明,风管浸没水面深度是影响除尘装置阻力损失的主要因素。风管浸没水面深为0.5 cm,处理风量为56.76 m^(3)/min时,出口粉尘质量浓度为17.560 0 mg/m^(3),除尘效率为95.01%;增加弦栅后,除尘效率较单一水浴工况提高了3.53%;在弦栅基础上增加喷雾后除尘效率较单一水浴工况提高了4.63%,出口处粉尘质量浓度降至1.250 mg/m^(3),为水浴弦栅水膜复合除尘装置的工程应用提供了依据。

Al栅a-Si TFT栅绝缘膜研究

Al栅可明显降低AM－LCD中a－SiTFT矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细介绍了Al栅的阳极氧化技术，获得了适于a－SiTFT复合栅的Al2O3栅绝缘材料。

铅酸蓄电池正极板栅氧化膜性质的测定

用慢速线性电位扫描法测定铅酸蓄电池正极板栅电极的阴极还原曲线，可以确定正极板栅氧化膜的性质：膜的组成及膜成分的含量。正极板栅氧化膜的性质是决定电池放电容量及电池寿命的重要因素之一。确定正极板栅氧化膜的性质有利于选择合适的合金材料和确定适当电池生产工艺条件。

离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果 。

关于NO氮化SiO_2超薄栅介质膜的研究

研究了采用ＮＯ快速热氮化ＳｉＯ２膜的方法制备超薄栅介质膜，并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄栅的ＮＭＯＳＦＥＴ，ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。

等离子体工艺引起栅氧化膜损伤的分析

目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入深亚微米和超深亚微米工艺时代。随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流。等离子体工艺引起的栅氧化膜损伤越来越受重视,它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能。本文讨论了等离子体工艺损伤的形成机理、充电损伤和辐射损伤两种损伤模式及减少等离子损伤的几种措施。最后提出了目前有待于进一步研究的问题。

脉冲和直流应力下栅氧化膜击穿特性的差别

本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频率越高，两者的差别越大。差别起因于脉冲低电平期间栅氧化膜损伤的自行减少。

PECVD法低温制备富氮的SiO_xN_y栅介质膜及其特性

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，运用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试、俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测、Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已达到或接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。

双层复合有机栅绝缘膜漏电机理的研究

本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和三氟乙烯-偏氟乙烯的共聚物（P（VDF-TrFE））双层复合绝缘膜的漏电机理,采用这种膜的MIS器件的单位面积电容为32 nF/cm2.电流-电压测试结果显示在不同的电压范围内其漏电曲线出现转折点,反映了这种膜在不同的电场下有不同的漏电机制.对实验结果拟合分析表明,在0～1 V电压范围内,其漏电主要是Poole-Frenkel机制控制;在1～25 V电压范围内,主要是以肖特基发射电流为主;而在35～40 V的电压范围内,绝缘膜漏电流是空间电荷限制电流.

用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究

制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下用Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合于ＵＬＳＩ的应用。

SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析

采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 。

基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究(英文)

介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认为与活性氧原子的氧化机制有关。同时,通过测试还发现提高生长温度和减小H2在反应气体中的比重可以获得更好的电特性,这也指明了原位水汽生长工艺存在进一步提高的可能。

集成电路中栅介质膜的C－V测试误差分析及其修正模型

通过具有各种串联电路的ＭＯＳ电容的分析测试表明：串联电阻引起ＭＯＳＣ－Ｖ特性畸变、失真，并与介质膜电容大小有关；串联电容使ＭＯＳＣ－Ｖ特性严重不稳定；而当存在电容和电阻并联的串联电路时，即使串联电路中的电阻高达１ｋΩ以上，只要其并联的电容远大于介质膜电容，这个串联电路的影响就可以忽略不计。也测试分析了硅衬底参数和测试环境对ＭＯＳＣ－Ｖ特性的影响。指出了改善测试分析准确性的各种有效途径。提出了ＭＯＳＣ－Ｖ特性的串联电阻修正模型。即：存在串联电阻效应的判据；ＭＯＳＣ－Ｖ特性失真的判据；串联电阻计算公式、电容修正公式及ＭＯＳＣ－Ｖ修正过程。举例说明修正模型编程的实际应用：超薄栅氧化层ＭＯＳＣ－Ｖ特性的修正；ＣＭＯＳ电路中，Ｐ阱中ＭＯ５电容Ｃ－Ｖ特性的修正。

制备薄栅氧化膜的研究

本文比较了标准氧化法,低温氧化、高温退火的两步氧化法及中间退火的两步HCl氧化法的优缺点,从而提出了三步HCl氢化的方法。采用此种方法所制得的氧化膜耐压有所提高,界面态密度、表面电荷及缺陷密度有所下降,采用此法生长栅氧化膜制出的CMOS电路,取得了良好的结果。

污水处理厂膜格栅不提渣整改维修

膜格栅是污水处理厂污水预处理的核心设备,经过多年运行后膜格栅出现不提渣现象。根据膜格栅提渣工作原理分析不提渣原因,通过清洗格栅内油脂渣滓、更换高压水管或高压水泵、减小提渣螺旋与螺旋槽之间的间隙,对膜格栅进行整改维修,整改后提渣效果显著提高。

膜格栅延长使用寿命的研究与实践

膜格栅筛网是膜格栅的核心过滤装置,维修更换价格昂贵却经常损坏。如何合理改造膜格栅,延长其使用寿命,几乎是空白。经多年运行研究分析,对膜格栅筛网进行改造,能有效降低筛网损坏频率,延长膜格栅使用寿命,且改造价格相比维修价格便宜,值得在污水处理行业推广。

0.4～0.25μm时代的栅氧化膜形成技术

1前言 对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜. ……