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长期存放条件下TFT阵列基板栅金属线腐蚀原因分析 被引量:3
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作者 林鸿涛 王鹏 《现代显示》 2006年第7期50-52,16,共4页
在TFT-LCD制造和存放过程中,存在着电化学腐蚀的环境,由于腐蚀速度相对较慢,所以对此现象的认识和研究不足。本文通过实例分析,研究了栅金属电极线在大气环境下的腐蚀现象和机理,并提出了降低腐蚀的措施。
关键词 栅金属线 腐蚀 长期存放 原因分析
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金属线栅结构中太赫兹波偏振特性的研究 被引量:6
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作者 栗芳芳 李栋 +4 位作者 舒时伟 马国宏 葛进 胡淑红 戴宁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期452-456,共5页
利用飞秒微加工和磁控溅射技术,在熔融石英衬底上设计并制作了不同结构的金属线栅,通过太赫兹时域光谱系统研究了线栅结构对太赫兹波偏振透射特性的影响,并用有限时域差分法对实验结果进行了模拟验证.分析了影响S和P两个偏振方向太赫兹... 利用飞秒微加工和磁控溅射技术,在熔融石英衬底上设计并制作了不同结构的金属线栅,通过太赫兹时域光谱系统研究了线栅结构对太赫兹波偏振透射特性的影响,并用有限时域差分法对实验结果进行了模拟验证.分析了影响S和P两个偏振方向太赫兹波透射的物理机制.为制作太赫兹波段偏振器件提供了有益的参考. 展开更多
关键词 金属线 太赫兹 飞秒激光 偏振度
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金属线栅笼代替空心导体圆柱对辐射波模拟器电磁特性的影响
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作者 杜立航 高成 +2 位作者 张琪 陈海林 殷勤 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期26-33,共8页
主要关注空心导体圆柱的等效替代品-圆柱线栅笼的电磁特性,分别基于保角变换和等效电磁场理论进行了等效半径的推导,在此基础上运用电磁仿真软件CST仿真分析了金属线栅的疏密和粗细程度对测试区电场波形的上升沿、脉宽和峰值的影响,并... 主要关注空心导体圆柱的等效替代品-圆柱线栅笼的电磁特性,分别基于保角变换和等效电磁场理论进行了等效半径的推导,在此基础上运用电磁仿真软件CST仿真分析了金属线栅的疏密和粗细程度对测试区电场波形的上升沿、脉宽和峰值的影响,并且对比了圆柱线栅笼和空心导体圆柱两种结构的电场分布。分析结果显示,双锥笼型结构完全能够等效代替空心导体圆柱,且进一步验证了等效半径理论的正确性。 展开更多
关键词 混合模拟器 金属线 等效半径 电场分布
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太赫兹波段金属线栅的紫外光控特性研究
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作者 张弘润 季鸿雨 +4 位作者 赵萍 林高照 王福合 张波 沈京玲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期2040-2045,共6页
基于氧化铟纳米薄膜及金属线栅的特性,利用紫外激光诱导以金属线栅为衬底的氧化铟纳米结构,研究其对于太赫兹偏振透射的调制特性。实验中在金属线栅上滴入溶于乙醇的氧化铟溶液,并使溶液恰好浸润在金属线栅缝隙中,同时将加热台的温度调... 基于氧化铟纳米薄膜及金属线栅的特性,利用紫外激光诱导以金属线栅为衬底的氧化铟纳米结构,研究其对于太赫兹偏振透射的调制特性。实验中在金属线栅上滴入溶于乙醇的氧化铟溶液,并使溶液恰好浸润在金属线栅缝隙中,同时将加热台的温度调至340℃,对金属线栅中的氧化铟进行热退火。结果表明,氧化铟-金属线栅线长方向与太赫兹电场偏振方向垂直时,在低强度紫外光的照射下,该样品对太赫兹的透射强度有较为明显的衰减,当紫外光功率密度为7mW·cm^-2时,样品对太赫兹的调制深度可达71%;当氧化铟-金属线栅线长方向与太赫兹电场偏振方向平行时,紫外光激发下的样品对太赫兹的调制效果明显减弱,当紫外光功率密度为7mW·cm^-2时,调制深度约为20%。氧化铟纳米薄膜中存在的氧空位,使该材料对紫外光具有特殊响应。在无紫外光照射下,样品环境中的氧气分子被吸附到氧化铟表面,由于化学反应生成O^2-离子态。当用光子能量大于氧化铟禁带宽度的紫外光激发样品时,在氧化铟表面激发出电子空穴对,空穴会被氧化铟表面的O^2-离子态和缺陷态束缚,从而释放电子到导带,增强了样品的电导率。在太赫兹波频段内,透过氧化铟样品的太赫兹强度与氧化铟电导率有很好的相关性。金属线栅利用金属表面可存在的自由电子的振荡,使电场方向与线栅方向平行的太赫兹偏振光激发电子沿线栅方向振荡,当电子与金属晶格中的原子碰撞时,此偏振光发生衰减并伴随辐射;而电场方向与线栅方向垂直的太赫兹偏振光,由于周期性结构的限制,无法激发自由电子振荡,主要表现出透射特性。结合氧化铟的表面缺陷特性,紫外光可实现作为氧化铟-金属线栅结构的光控偏振开关作用,氧化铟-金属线栅结构偏振器能很好地应用于太赫兹波频段的光控偏振调制。 展开更多
关键词 金属线 氧化铟 太赫兹时域光谱技术 偏振
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太赫兹波段一维金属线栅的偏振特性研究 被引量:8
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作者 刘立明 赵国忠 +2 位作者 张杲辉 魏波 张盛博 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期223-228,共6页
基于时域有限差分法(FDTD)对一维金属线栅结构在0.2~2.6THz波段的偏振特性进行了数值分析,研究了其结构参数如金属占空比、狭缝宽度以及线栅周期对相互垂直的两种偏振模式太赫兹波透射系数的影响。利用光刻和金属膜制备工艺,在1mm厚的... 基于时域有限差分法(FDTD)对一维金属线栅结构在0.2~2.6THz波段的偏振特性进行了数值分析,研究了其结构参数如金属占空比、狭缝宽度以及线栅周期对相互垂直的两种偏振模式太赫兹波透射系数的影响。利用光刻和金属膜制备工艺,在1mm厚的高阻硅衬底上淀积了200nm厚的金膜,制成了一系列一维金属线栅结构。利用太赫兹时域光谱系统,实验测量了这些线栅结构的太赫兹透射特性,实验结果与模拟结果规律一致。结果表明:适当设计金属线栅周期,同时满足一定的金属占空比要求,其整体偏振和透射性能能够得到优化。金属线栅结构参数与其太赫兹偏振性能之间的关系为制造太赫兹偏振器提供了参考。 展开更多
关键词 太赫兹 金属线 光刻 偏振
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基于格林函数法研究金属线栅在太赫兹波段的散射特性 被引量:2
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作者 张会云 刘蒙 +3 位作者 尹贻恒 吴志心 申端龙 张玉萍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第19期240-245,共6页
本文运用格林函数法分析金属线栅在太赫兹(THz)波段的散射特性,研究金属线栅的衍射效应对其传输特性的影响.研究结果表明,在零级衍射区入射电磁波的透过振幅随a/λ的增大单调增加,在零级衍射极限处透过振幅达到最大值.过渡区的临界频率... 本文运用格林函数法分析金属线栅在太赫兹(THz)波段的散射特性,研究金属线栅的衍射效应对其传输特性的影响.研究结果表明,在零级衍射区入射电磁波的透过振幅随a/λ的增大单调增加,在零级衍射极限处透过振幅达到最大值.过渡区的临界频率处,由于衍射效应的加强,出现入射电磁波透过曲线的振荡.衍射区受到衍射效应的影响入射电磁波透射振幅曲线总体下降,并随a/λ的增大单调减少.与微波传输线方法相比,该方法摆脱了入射电磁波的波长需大于线栅常数且要求线栅的厚度远远小于金属线的宽度的限制,能准确的分析系统的电磁场的分布特性,更具普适性. 展开更多
关键词 金属线 太赫兹波 散射 格林函数法
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大型双板导波天线对核电磁脉冲传输损耗和畸变特性
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作者 吴刚 肖晶 谢霖燊 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1311-1320,共10页
大型导波核电磁脉冲模拟器可为系统级装备试验提供自由空间辐照环境。针对此类模拟器常用的双板导波天线可能存在的传输损耗和波形畸变问题,以电磁仿真软件和算例对比分析研究了3种主要的影响因素,包括土壤的介电损耗及其抑制、前锥板... 大型导波核电磁脉冲模拟器可为系统级装备试验提供自由空间辐照环境。针对此类模拟器常用的双板导波天线可能存在的传输损耗和波形畸变问题,以电磁仿真软件和算例对比分析研究了3种主要的影响因素,包括土壤的介电损耗及其抑制、前锥板向平行板转折的结构不连续、线栅阵列代替金属板的缝隙泄漏。研究结果表明:对上下极板等宽的情形,土壤损耗可使电压传输效率降低25%以上;适当展开下极板宽度可屏蔽土壤损耗;上极板转折处的结构不连续可导致平行段试验空间内电场呈现双峰交叠、幅度降低、波形畸变等特征;最大线间距0.3 m不会导致前沿显著变化。作为工程应用案例,设计了前锥长度60 m、顶高15 m、下极板拓宽3 m、由100根线栅阵列构成上极板的导波天线,试验空间超过20 m×20 m×10 m,实现了前沿2.5~3.0 ns双指数脉冲的无损耗、无畸变传输。 展开更多
关键词 核电磁脉冲 双板导波天线 传输损耗 波形畸变 金属线
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SUVA工艺改善色偏研究
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作者 张勇 李林 +3 位作者 任驹 李凡 彭林 吴潘强 《光电子技术》 CAS 2024年第2期168-172,共5页
为优化SUVA3工艺中左右视角色偏(CR_((80/20)))较UV^(2)A工艺差的问题,从工艺、设计等方向,进行了组合曝光(PBS+WGP模式)、ITO狭缝角度、偏光片角度(WGP)等条件的探究。结果表明:组合曝光(PBS+WGP模式)、ITO角度、WGP角度均可优化色偏,... 为优化SUVA3工艺中左右视角色偏(CR_((80/20)))较UV^(2)A工艺差的问题,从工艺、设计等方向,进行了组合曝光(PBS+WGP模式)、ITO狭缝角度、偏光片角度(WGP)等条件的探究。结果表明:组合曝光(PBS+WGP模式)、ITO角度、WGP角度均可优化色偏,但从色偏收益和量产性角度考虑,ITO Slit角度+WGP角度调整更优,其最优条件为:WGP角度为f°(极限角度)+ITO狭缝角度为I°,可将SUVA3工艺色偏优化至UV^(2)A工艺水准,CR_((80/20))可达到35.6%。 展开更多
关键词 方位角 氧化铟锡薄膜狭缝 金属线偏振器 色偏
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有界波模拟器结构尺寸对EMP传输的影响 被引量:3
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作者 潘晓东 魏光辉 任新智 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第S1期18-21,共4页
利用电磁仿真计算软件FEKO,对有界波模拟器传输电磁脉冲信号的影响进行了分析,给出了有界波模拟器结构尺寸与所能模拟器的电磁脉冲上升沿下限的估算关系,所得到的结论对设计快上升沿大型电磁脉冲场模拟设备具有一定的参考意义.
关键词 电磁脉冲 有界波模拟器 金属线 矩量法
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不同大气窗口太赫兹偏振器的仿真设计 被引量:1
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作者 袁玉霞 袁斌 +4 位作者 丁佩 胡伟琴 张璐 周强 梁二军 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 北大核心 2009年第3期54-58,共5页
太赫兹偏振器是太赫兹雷达和太赫兹通信的必要器件.针对太赫兹雷达和太赫兹通信应用的0.12THz,0.225THz,0.3THz,0.35THz,0.41THz,0.67THz,0.85THz,2.5THz附近的大气窗口,设计了太赫兹波金属线栅结构偏振器,研究了不同大气窗口偏振器的... 太赫兹偏振器是太赫兹雷达和太赫兹通信的必要器件.针对太赫兹雷达和太赫兹通信应用的0.12THz,0.225THz,0.3THz,0.35THz,0.41THz,0.67THz,0.85THz,2.5THz附近的大气窗口,设计了太赫兹波金属线栅结构偏振器,研究了不同大气窗口偏振器的金属线半径和线栅周期对其偏振性能的影响.结果表明,金属线半径和线栅周期对偏振器的反射系数和透射系数有重要影响;对于太赫兹波段不同大气窗口,偏振器有不同的最佳金属线半径和线栅周期;通过对金属线栅偏振器的结构尺寸优化,得到了不同大气窗口偏振器的最佳尺寸范围.所设计的偏振器具有高隔离度、低插入损耗和低驻波比的优越性能. 展开更多
关键词 太赫兹 偏振器 金属线 反射系数 透射系数
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Application of CCD Technique to Stress and Strain Measurements of Metals
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作者 XING Kai,CAO Chang-nian,YANG Dong-sheng GAO Hong-wen,LIU Lin,YANG Yong-zheng (Dept.of Appl.Phys.,Northwestern Polytechnical University,Xi’an 710072,CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1999年第4期242-246,共5页
Crossed grating stuck to metal surface was used as a strain sensor in the present work, and stress as well as strain were then investigated by accurately determining the change in the position of diffraction spot befo... Crossed grating stuck to metal surface was used as a strain sensor in the present work, and stress as well as strain were then investigated by accurately determining the change in the position of diffraction spot before and after deformed. A hardware testing system for linear CCD array, data gathering and processing was therefore developed for this purpose. Experimental results showed that the system has a good accuracy and can be used to measure stress and strain of metal surface in a real-time and quantitative manner. 展开更多
关键词 Crossed Grating Linear CCD Array Metal Stress STRAIN
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Review of advanced CMOS technology for post-Moore era 被引量:4
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作者 LI Ming 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第12期2316-2325,共10页
The continuous downsizing of device has sustained Moore's law in the past 40 years.As the power dissipation becomes more and more serious,a lot of emerging technologies have been adopted in the past decade to solv... The continuous downsizing of device has sustained Moore's law in the past 40 years.As the power dissipation becomes more and more serious,a lot of emerging technologies have been adopted in the past decade to solve the short channel effect,leakage and performance degradation problems.In this paper,the emerging scaling technologies and device innovations,including high-k/metal gate,strain,ultra-shallow junction,tri-gate FinFET,extremely thin SOI and silicon nanowire FET will be reviewed and discussed in terms of the potential and challenge for post-Moore era. 展开更多
关键词 Moore's law power dissipation performance gain VARIABILITY HK/MG STRAIN novel device architecture
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你需要更高的亮度吗
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作者 CK 《大众电脑》 2003年第5期49-51,共3页
关键词 CRT显示器 亮度 显像管 金属线
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