钝化介质层对功率GaAs MESFET的栅-漏击穿特性影响

用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据。