基于TCAD的低压沟槽MOSEFT栅漏电荷的研究

对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能,栅-漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD(器件与工艺计算机辅助设计),研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在工艺设计上减小栅-漏电容Cgd,降低器件优值,提高开关性能的途径。

DC-DC转换器中功率沟槽MOSFET的优化设计

利用工艺和器件模拟软件TSUPREM-4和MEDICI,研究了工艺参数对DC-DC转换器中的功率沟槽MOSFET的通态电阻Ron、栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在设计和工艺上减小通态电阻Ron和栅-漏电容Cgd,提高器件综合性能的途径。

高频控制开关用沟槽MOSFET的研究

高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30V的开关用沟槽MOSFET器件。对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象,运用沟道长度调制效应给出了解释。