根区高温胁迫下不同空气温度对葡萄叶片PSⅡ活性的影响及恢复情况

为明确不同空气温度协同根区高温胁迫对葡萄叶片PSⅡ活性及其恢复的影响,以胁迫处理前生长环境30/25℃气温/根区温度为对照(CK),设置30/35℃(T1)、35/35℃(T2)、40/35℃(T3)气温/根区温度3个处理,处理完成后在30/35℃的环境中进行3 h的暗恢复。结果表明,相较于CK 3个处理叶片PSⅡ的活性均显著下降,气温越高PSⅡ受到的损伤越严重,其中以T3处理最为明显。经过3 h暗恢复后T1、T2处理PSⅡ活性恢复明显;暗恢复后T3处理F_(v)/F_(m)、RC/CS_(m)、W_(k)、ABS/CS_(m)、TR_(o)/CS_(m)均有明显的回升,另外Y(NO)值相较于恢复前显著下降,而Y(NPQ)值较恢复前上升,表明T3处理PSⅡ活性也有一定的恢复,但φ_(Eo)、V_(j)、ET_(o)/CS_(m)无明显的回升趋势。综上,T1、T2、T3处理均显著降低了葡萄叶片PSⅡ的活性,在适宜气温下经过3 h的暗恢复后,T1、T2处理PSⅡ活性能较快恢复,而T3处理PSⅡ受体侧受到的损伤在短时间内不能够恢复。

覆膜类型对日光温室SRSC栽培番茄幼苗根区温热效应的影响

试验以土垄内嵌基质栽培方法(soil ridged substrate-embedded cultivation,SRSC)为基础,通过优化地膜覆盖类型,以期进一步缓解日光温室基质栽培过程中的高温胁迫,并促进番茄幼苗抗高温生长。以传统的土壤栽培垄+透明地膜为对照(CK),设置SRSC+透明地膜(TM),SRSC+黑色地膜(HM),SRSC+普通反光地膜(PF)和SRSC+强反光地膜(QF)共4个处理,在夏季日光温室中研究不同覆膜类型的SRSC栽培垄的根区温热效应及番茄幼苗生长情况。结果表明,在定植前覆盖不同类型地膜的SRSC垄其膜下和根区平均最高温度和昼间平均温度均低于CK,其中QF处理的膜下和根区温度最低,膜下和根区平均最高温度分别比CK低12.78和9.73℃,昼间平均温度分别比CK低7.88和6.16℃,隔热降温效果最优。定植后,环境温度升高,但各处理膜下和根区温度的变化规律与定植前基本一致,此阶段,QF处理依然表现出最优的隔热降温效果,其膜下和根区平均最高温度分别比CK低8.96和8.97℃,而膜下和根区的昼间平均温度分别比CK低6.02和5.47℃,降温效果明显,但比前期环境温度较低时有所下降。就根区降温效果看,降温能力表现为QF>PF>HM>TM>CK。夜间,各处理的膜下和根区温度均降至较为一致的适宜水平。根区温度与土壤吸放热多少无直接关系,HM、PF和QF三种不同覆膜类型处理中,QF处理根区的热量传递最为缓慢,根区温度最低。PF和QF处理的番茄幼苗株高和茎粗显著高于CK,且QF对增加株高和茎粗效果最显著。随着HM、PF和QF处理隔热降温效果的增强,番茄幼苗生物量逐渐增加,其中以QF的地上地下干鲜重最优,番茄幼苗生长最好。综上所述,通过SRSC方法,结合不同类型地膜覆盖,以覆盖强反光地膜的SRSC垄在夏季日光温室生产中能够改善栽培垄根区温热效应,同时有利于番茄苗期的生长。

气温和根区温度对葡萄叶片光合荧光特性的影响

为探究气温和根区温度对葡萄(Vitis vinifera)叶片光合荧光特性的影响,以一年生巨峰葡萄为试材,设置对照、高气温、高根区温度和两者交叉作用共4组处理。结果表明,相较于对照和高气温,高根区温度以及交叉处理叶片最大光化学效率(F_(v)/F_(m))降低更明显;与对照相比,高根区温度以及高气温与高根区温度交叉处理下光系统II(PSII)实际光化学效率Y(II)显著降低,非调节能量耗散的量子产量Y(NPQ)及QA氧化还原状态(1–qP)值显著上升。同时,高根区温度以及高气温与高根区温度交叉处理显著增加了J点的可变荧光(V_(j)),而用于电子传递的量子产额(φ_(Eo))及性能指数(PI_(ABS))显著降低。此外,高根区温度以及高气温与高根区温度交叉处理下单位面积有活性的反应中心数目(RC/CS_(m))也显著下降,K点相对可变荧光(W_(k))明显上升。综上所述,高根区温度是高气温与根区高温交叉胁迫的主导因子,PSII受体侧是主要的伤害位点,高气温加剧了高根区温度对PSII造成的伤害。