PDP荧光粉GdBO_3:Eu格位选择激发下的光致发光及其相变研究

用溶胶－凝胶法制备了ＰＤＰ用荧光粉ＬＴ－ＧｄＢＯ３：Ｅｕ，并用常规的手段，包括ＸＲＤ、拉曼散射谱、发光光谱等研究了它的晶体结构和光谱性质．利用染料激光系统，选择激发荧光粉中不同格位上 Ｅｕ３＋的５Ｄ０能级，得到了对应于不同格位的两套发射谱，并根据发射谱分析了Ｅｕ３＋的格位对称性，以及对这两种格位之间的能量传递过程产生影响的一些因素．在１０００～１１００℃之间，发生了ＬＴ－ＧｄＢＯ３向另一种Ｖａｔｅｒｉｔｅ结构的ＧｄＢＯ３的相转变．相变的过程伴随着因ＧｄＢＯ３晶体结构发生重排而引起的热吸收．荧光粉ＬＴ－ＧｄＢＯ３：Ｅ３有很高的亮度，同时其猝灭浓度高达 ２０ｍｏｌ％．

纳米X_1-Y_2SiO_5∶Eu的制备与格位选择激发下的光致发光研究

采用溶胶凝胶法制备了纳米微晶Ｘ１Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ，研究了室温和１５Ｋ下的光致发光特性．透射电子显微镜的测量结果表明，样品的平均粒径为５０ｎｍ．通过低温下的格位选择激发，分别得到Ｘ１Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ中两种格位的Ｅｕ３＋离子各自的光致发光光谱，确定了谱峰位置．在格位选择激发下，两种格位的发光衰减均呈很好的单指数关系，５Ｄ０能级的寿命分别为３００和２１８ｍｓ．

Eu^(3+)∶Y_2SiO_5晶体的格位选择光谱研究

在室温和液氨温度下， 测量并研究了 Ｅｕ３＋ ∶ Ｙ２ Ｓｉ Ｏ５ 晶体的透射光谱， 荧光光谱， 激发光谱和格位选择荧光光谱． 实验结果表明， 在该晶体中 Ｅｕ３＋ 替换 Ｙ３＋ 离子， 占据 ２ 个不等价的 Ｃ１ 光学格位， 这 ２ 个格位的５ Ｄ０ ７ Ｆ０ 能级跃迁谱线相隔大约只有 ０．２ ｎｍ ．并用 Ｘ 射线对晶体的晶格常数 ａ，ｂ，ｃ 和晶面角度 β进行了测量，测量结果显示掺杂后的晶格常数和未掺杂 Ｙ２ Ｓｉ Ｏ５ 的晶格常数基本一致．

纳米Gd_2O_3中两种格位Eu^(3+)的电荷迁移态激发跃迁

观测了粒径分别为15,23,135 nm的立方相Gd_2O_3:Eu^(3+)的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱。受强量子限域效应的影响,纳米Gd_2O_3:Eu^(3+)的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖性。用Jorgensen公式计算电荷迁移带的位置,与实验测得激发光谱中位置相一致。通过电荷迁移带不同位置的选择激发光谱可以分辨出立方相Gd_2O_3:Eu^(3+)中C_2和S_6格位Eu^(3+)的发光,从选择激发的发射光谱和激发光谱结果计算出C_2和S_6格位电荷迁移带的激发光谱,与实验结果相符合。

应力发光材料Sr2SiO4∶Eu,Dy的光谱性质研究

采用高温固相法制备一系列Sr_2SiO_4∶Eu0.01,Dy_x(x=0.000 1,0.002 5,0.005,0.01)应力发光材料,研究了不同掺杂浓度下,Sr_2SiO_4∶Eu,Dy的光致发光和应力发光性质。研究结果表明在掺杂Dy^(3+)浓度较低时,样品同时存在α和β两种相,当掺杂Dy^(3+)浓度增加时,则出现β到α的相转变。由于Eu^(2+)占据Sr^(2+)格位的不同,样品在蓝光区486nm(Sr1)和绿光区530nm(Sr2)有两个峰存在。而应力发光光谱与余辉光谱类似,均只呈现出530nm的发光,这说明二者的发光来源于占据Sr_2格位的Eu^(2+),都是通过改变陷阱的浓度实现发光性能的变化,但Sr_2SiO_4∶Eu,Dy的应力发光强度的变化还与其结构改变有关。同时,Sr_2SiO_4∶Eu,Dy应力发光强度与所施加的力之间呈良好的线性关系,并且可用眼睛观察到明显的黄色应力发光,这为应力发光传感器准确检测物体所受应力提供依据。结合余辉、热释以及应力发光性质,推测Sr_2SiO_4∶Eu,Dy的应力发光机制应是压电产生的电致发光。