Eu^(3+)∶Y_2SiO_5晶体的格位选择光谱研究

在室温和液氨温度下， 测量并研究了 Ｅｕ３＋ ∶ Ｙ２ Ｓｉ Ｏ５ 晶体的透射光谱， 荧光光谱， 激发光谱和格位选择荧光光谱． 实验结果表明， 在该晶体中 Ｅｕ３＋ 替换 Ｙ３＋ 离子， 占据 ２ 个不等价的 Ｃ１ 光学格位， 这 ２ 个格位的５ Ｄ０ ７ Ｆ０ 能级跃迁谱线相隔大约只有 ０．２ ｎｍ ．并用 Ｘ 射线对晶体的晶格常数 ａ，ｂ，ｃ 和晶面角度 β进行了测量，测量结果显示掺杂后的晶格常数和未掺杂 Ｙ２ Ｓｉ Ｏ５ 的晶格常数基本一致．

纳米Gd_2O_3中两种格位Eu^(3+)的电荷迁移态激发跃迁

观测了粒径分别为15,23,135 nm的立方相Gd_2O_3:Eu^(3+)的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱。受强量子限域效应的影响,纳米Gd_2O_3:Eu^(3+)的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖性。用Jorgensen公式计算电荷迁移带的位置,与实验测得激发光谱中位置相一致。通过电荷迁移带不同位置的选择激发光谱可以分辨出立方相Gd_2O_3:Eu^(3+)中C_2和S_6格位Eu^(3+)的发光,从选择激发的发射光谱和激发光谱结果计算出C_2和S_6格位电荷迁移带的激发光谱,与实验结果相符合。