用于外部存储的SATA桥接电路系列

Oxford半导体公司（Oxford Semiconductor）将成为业界首个桥接电路制造公司，为外部仔储器制造商提供全系列的SATA磁盘接口解决方案2005年第二季度推出的“92X”系列产品包括5款新型SATA桥接电路，捌有多项创新技术，所支持的接口标准包括USB2．0、FireWire400、FireWire800以及首次支持的Exlemal SATA、SATA桥接电路将协助硬蕊制造商生产出备有多种接口的外部仔储器产品，且能共享通用的软件和硬件平台。

新型多分力传感器

介绍一种多分力传感器的新型结构模式,提供了应变片组件的粘贴模式及多种实用电路,并标明实用电阻值参数。新结构能消除分力之间相互干扰,能检测Fx、Fy、Mx、My、Mz5个分力,精度高,结构简单,制造成本低。

I^2C Slave器件内部结构设计及VLSI实现

I2C总线由于接口简单、协议完善,已经被广泛地应用在消费类电子产品、通信产品和工业电子产品中,成为国际标准。论文提出一种基于两级桥接口的I2CSLAVE器件的内部结构,该结构一方面能够根据系统的需求灵活地集成和裁减各种功能的IP核模块,对于多功能的I2CSLAVE器件的设计有一定的通用性;另一方面它支持各IP核模块工作于自己独立的时钟域,给多时钟域系统设计带来便利。以一款密码芯片为实例,对该结构进行了验证和实现,该芯片采用了华虹NEC0.35!mCMOS工艺。

DDR3上的双读写通道设计与实现

针对DDR3的灵活性与使用效率问题,提出了一种DDR3上的双读写通道设计与实现策略。在DDR3上切割出两套独立读写通道,基于时分复用(TDM)原则,使每套读写状态互不影响,能按要求完成用户任意读写指令。设计了一种时分复用桥接电路,通过数据切换器,使两套用户读写接口分时的与DDR3控制器接口相连接。将DDR3 IP核MIG提供的一套控制接口搭建为两套独立的用户读写接口,分时间片轮循执行用户读写命令,能总体实现对DDR3的同时读写操作。板级测试表明,DDR3内部读写时钟达800 MHz,外部用户接口操作时钟达200 MHz,用户数据位宽达256 bit,能满足用户同时读写的要求。该策略有助于解决各种高速实时数据缓存问题,具有广泛的应用价值。

高速t_(rr)高速开关高耐压MOSFET

高耐压功率MOSFETF系列产品为使trr（内部二极管反向恢复时间）达到高速化，成功地在超结MOSFET的元件内部形成局部的陷阱能级，从而使得trr从160ns缩短为70ns，也就是比普通的超结结构产品缩短约60％。无须接入FRD就可以应用于桥接电路，这对削减元器件数量、减小基片面积和达到高频化，使得变压器等小型化，从而实现装置小型化、低成本化有很大的贡献。

LMP8358：零点漂移仪表放大器

NS推出可编程且配备诊断功能的零点漂移仪表放大器，这款型号为LMP8358的芯片简化了压力及热电偶桥接电路的测量方式，使用户可以检测远程工业系统的线路是否有短路、开路以及老化等现象。

液晶彩电伴音电路介绍(下)

（2）D类功率放大器的输出级及滤波器 输出级一般选择4个MOSFET场效应开关管桥接电路。图7所示是“H”形桥接输出级，FET1-FET4工作在开关状态：FET1、FET4导通时，FET3、FET2截止：FET3、FET2导通时，FET1、FET4截止。产生的信号再经LC滤波器滤波，即可取出音频信号，可使接在桥路上的负载（扬声器）得到交变的电压、电流而发出声音。