高浓度硅外延纵向电阻率分布研究

研究了桶式N型外延中发现的波浪形貌纵向电阻率分布现象,分析和验证了可能的影响因素(温度、生长速率、转速、挂件、掺杂浓度),得到如下结论,波浪形貌的纵向电阻率分布是在高掺杂浓度时因桶式基座面气流干扰产生的现象,且该现象通过基座面尺寸的调整可以消除。

大尺寸外延片表面暗点现象的工艺研究

对桶式外延炉在大尺寸外延片生长过程中出现表面暗点的形成原因进行分析,并结合桶式外延炉的结构特点,依据外延炉结构的气流模型提出对支承筒结构的改造方案。经实验验证,改造方案解决了桶式外延炉在大尺寸外延片生长过程中形成暗点问题,极大提高了产品合格率,降低维护成本,经济成果明显。