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IGCT阴极图形排布的优化设计
被引量:
1
1
作者
程银华
陈芳林
彭文华
《大功率变流技术》
2010年第4期5-8,共4页
简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善...
简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善了门极电流通道。
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关键词
IGCT
梳条排布
分区复合
排
布
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职称材料
直流断路器用4.5 kV/10 kA IGCT特性研究
被引量:
3
2
作者
操国宏
陈勇民
+1 位作者
陈芳林
潘学军
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2022年第2期133-135,共3页
集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5kV/4kA IGCT技术基础,通过优化N-基区掺杂浓度、阳极掺杂分布及阴极梳条排布,研制出6英寸4.5 kV/10kA IGCT。...
集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5kV/4kA IGCT技术基础,通过优化N-基区掺杂浓度、阳极掺杂分布及阴极梳条排布,研制出6英寸4.5 kV/10kA IGCT。测试结果显示该器件具有良好的高温阻断能力,在高温125℃下8kA时导通压降典型值为1.6V,在DCCB应用拓扑回路中其关断电流能力可达到12kA,且关断电流拖尾期间没有电压振荡现象。
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关键词
集成门极换流晶闸管
阴极
梳条排布
直流断路器
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职称材料
题名
IGCT阴极图形排布的优化设计
被引量:
1
1
作者
程银华
陈芳林
彭文华
机构
株洲南车时代电气股份有限公司
出处
《大功率变流技术》
2010年第4期5-8,共4页
文摘
简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善了门极电流通道。
关键词
IGCT
梳条排布
分区复合
排
布
Keywords
IGCT
finger arrangement
partition composite arrangement
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
直流断路器用4.5 kV/10 kA IGCT特性研究
被引量:
3
2
作者
操国宏
陈勇民
陈芳林
潘学军
机构
新型功率半导体器件国家重点实验室
株洲中车时代半导体有限公司
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2022年第2期133-135,共3页
基金
国家重点研发计划(2017YFB0903200)
科技助力经济2020重点专项(2020YFF0426272)。
文摘
集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5kV/4kA IGCT技术基础,通过优化N-基区掺杂浓度、阳极掺杂分布及阴极梳条排布,研制出6英寸4.5 kV/10kA IGCT。测试结果显示该器件具有良好的高温阻断能力,在高温125℃下8kA时导通压降典型值为1.6V,在DCCB应用拓扑回路中其关断电流能力可达到12kA,且关断电流拖尾期间没有电压振荡现象。
关键词
集成门极换流晶闸管
阴极
梳条排布
直流断路器
Keywords
integrated gate commutated thyristor
arrangement design of cathode fingers
direct current circuit breakers
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IGCT阴极图形排布的优化设计
程银华
陈芳林
彭文华
《大功率变流技术》
2010
1
下载PDF
职称材料
2
直流断路器用4.5 kV/10 kA IGCT特性研究
操国宏
陈勇民
陈芳林
潘学军
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2022
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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