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碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析
被引量:
1
1
作者
曾冬梅
王涛
介万奇
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1760-1763,共4页
采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析,观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环.认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的,而沉淀相在基体中的析出与基体形成错配应力,又造成位错的增殖...
采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析,观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环.认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的,而沉淀相在基体中的析出与基体形成错配应力,又造成位错的增殖.Te沉淀与棱柱位错两种缺陷是相互依存的.
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关键词
透射电子显微镜
棱柱位错环
Te沉淀
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职称材料
基于点缺陷扩散理论与离散位错动力学耦合的位错攀移模型研究
2
作者
高原
柳占立
+3 位作者
赵雪川
张朝晖
庄茁
由小川
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期493-499,共7页
位错的攀移运动对高温下晶体材料的塑性行为有重要影响,为了能够有效揭示攀移的物理本质及其对塑性行为的作用,本文基于点缺陷扩散理论,通过将体扩散和管扩散机理的共同作用与三维离散位错动力学耦合,建立了适用条件更广的位错攀移模型...
位错的攀移运动对高温下晶体材料的塑性行为有重要影响,为了能够有效揭示攀移的物理本质及其对塑性行为的作用,本文基于点缺陷扩散理论,通过将体扩散和管扩散机理的共同作用与三维离散位错动力学耦合,建立了适用条件更广的位错攀移模型.利用此模型我们模拟了单个及多个棱柱型位错环的收缩变形过程,发现影响位错攀移速率的决定因素不是传统理论认为的机械攀移力,而是位错周围(体扩散)及位错段上(管扩散)的空位浓度梯度.该模型也能够完全重现棱柱型位错环群的粗化过程中不同位错环半径及晶体内平均空位浓度随时间变化的三个阶段.
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关键词
位错
攀移
点缺陷扩散理论
位错
动力学
棱柱位错环
原文传递
题名
碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析
被引量:
1
1
作者
曾冬梅
王涛
介万奇
机构
西北工业大学材料学院
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1760-1763,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:50336040)~~
文摘
采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析,观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环.认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的,而沉淀相在基体中的析出与基体形成错配应力,又造成位错的增殖.Te沉淀与棱柱位错两种缺陷是相互依存的.
关键词
透射电子显微镜
棱柱位错环
Te沉淀
Keywords
TEM
Te precipitates
dislocation loops
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于点缺陷扩散理论与离散位错动力学耦合的位错攀移模型研究
2
作者
高原
柳占立
赵雪川
张朝晖
庄茁
由小川
机构
清华大学航天航空学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期493-499,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:10772096)资助的课题~~
文摘
位错的攀移运动对高温下晶体材料的塑性行为有重要影响,为了能够有效揭示攀移的物理本质及其对塑性行为的作用,本文基于点缺陷扩散理论,通过将体扩散和管扩散机理的共同作用与三维离散位错动力学耦合,建立了适用条件更广的位错攀移模型.利用此模型我们模拟了单个及多个棱柱型位错环的收缩变形过程,发现影响位错攀移速率的决定因素不是传统理论认为的机械攀移力,而是位错周围(体扩散)及位错段上(管扩散)的空位浓度梯度.该模型也能够完全重现棱柱型位错环群的粗化过程中不同位错环半径及晶体内平均空位浓度随时间变化的三个阶段.
关键词
位错
攀移
点缺陷扩散理论
位错
动力学
棱柱位错环
Keywords
dislocation climb
diffusion theory of point defects
dislocation dynamics
prismatic dislocation loop
分类号
O772 [理学—晶体学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析
曾冬梅
王涛
介万奇
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
下载PDF
职称材料
2
基于点缺陷扩散理论与离散位错动力学耦合的位错攀移模型研究
高原
柳占立
赵雪川
张朝晖
庄茁
由小川
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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