400nm～2000nm椭偏光谱仪的研究

建立了计算机自动控制测量 40 0nm～ 2 0 0 0nm椭偏光谱仪系统。经过实验检验了系统的重复性及准确度 。

用Blanie Johs法校正椭偏光谱仪的样品选择

用BlanieJohs方法使用三种不同的样品对旋转检偏器类型椭偏光谱仪(RAE)进行了系统校正。校正实验结果表明:对于设计建立的系统,在其各元件设备处于非最佳状态下,BlanieJohs方法仍然成功完成了系统的校正任务,证明该方法具有普适性。但在校正过程中也发现:为了获得高精度的系统校正结果,使用的校正样品并非如BlanieJohs方法介绍的没有限制,而是需要进行一定的选择。

可见、近红外椭偏光谱仪

介绍了计算机自动控制测量可见、近红外椭偏光谱仪。文中着重论述了将探测光波段由可见光区拓展到近红外范围时所需要注意的问题。其系统基本参数为：测量波长范围由可见光４００ｎｍ到近红外２０００ｎｍ；系统光谱分辩率：可见光范围０．５ｎｍ，近红外范围１．０ｎｍ；入射角６７．５度。经过实验检验了系统的重复性及准确度，证明系统可用于高精度薄膜厚度的检测。

用椭偏光谱仪测量不同波长下砷化镓的光学参量

讨论了把单波长 TP- 77型椭偏仪改装成椭偏光谱仪的原理 ,并用改装后的椭偏仪测量多个波长下Ga As的光学参量 ,测量结果与参考文献的结果符合较好 .改进后的实验提高了学生的动手能力 。

基于椭偏光谱仪的石英晶体1310nm处双折射率的精密测量

为了对石英晶体在通讯波段1 310nm处的双折射率进行精密测量,基于椭偏光谱仪对P和S两方向上偏振光相位差的精密测量原理,在透射模式下,通过对琼斯矩阵的分析,设计了一种精密测量晶体双折射率的方法,并在室温(22℃)下对通讯波段1 310nm处石英晶体的双折射率进行了精密测量,测量结果和对误差的分析显示,此方法给出的双折射率测量值的精度高达10-6量级,为目前可查阅的最高精度,对于提高石英晶体相位延迟器件的设计精度具有重要的意义。

高精度自动化椭圆偏振光谱仪

报导了４８６／８０计算机控制的自动化的转动检偏计式的光度法椭圆偏振光谱仪的设计和制造．仪器主要由光学系统、机械转动控制系统和数据采集系统组成．其频谱范围２００～９００ｎｍ，入射角可在５～８５°连续改变，灵敏度达０．１μＷ光强，有很高的精密度，折射率ｎ达０．００２量级，消光系数ｋ达０．００３量级，准确度ｎ达０．００１量级，ｋ达０．００２量级．实验检验了仪器的精密度和准确度．

材料表面性质的椭偏光谱分析法

本文介绍了椭偏光谱仪的构造以及用这种装置对两种材料表面进行分析,其结果与国外文献所报道的用其它类型椭偏光谱仪所测得的结果完全一致,说明该装置完全可用。又因椭偏光谱分析法具有快速性和非破坏性的优点,因而可将它广泛地应用在材料鉴别及生产过程的监控上.

椭偏谱法测量类金刚石薄膜的质量

应用椭偏光谱法研究了一系列不含氢DLC样品,讨论了样品制备与测量、模型的建立及多样品分析法和椭偏数据拟合,表明椭偏光谱法可以确定DLC膜的厚度,并可反映出sp3成份百分比变化与制备时偏置电压的关系.

光谱分析、光谱测量

O433.4 2001042336复杂凝聚态体系的椭偏光谱分析=Spectroscopic ellipsometryof complex condensed state systems[刊,中]/莫党,阳生红,蒋志洁（中山大学物理系.广东,广州（510275））,李秋俊（重庆邮电学院电子信息工程系.重庆（400065））//第十届全国凝聚态光学性质学术会议.-内蒙古海拉尔,2000.08.-8讲述复杂凝聚态体系的椭偏光谱分析的计算过程,用自动化椭偏光谱仪测量了碳离子注入硅得到的SiC/SI异质结构以及ZnO/SiO2多层膜的紫外可见椭偏光谱,并成功地进行了解谱。

磁控溅射和能量过滤磁控溅射TiO_2薄膜结构和光学性质的对比研究

磁控溅射是一种广泛应用的薄膜制备技术。能量过滤磁控溅射是对磁控溅射技术加以改进后的一种薄膜制备技术。通过改变能量过滤磁控溅射技术过滤电极网孔大小制备TiO_2薄膜,研究了网孔目数对薄膜物相结构、表面形貌以及光学性质的影响,并与磁控溅射技术制备的TiO_2薄膜进行了对比研究。结果表明:(1)能量过滤磁控溅射技术较磁控溅射技术所制备薄膜的结构均匀性更加优异,薄膜的透射率由86.5%增大到91.4%、波长500nm处折射率由1.61增加到1.68、波长300nm处消光系数由0.42降低到0.12;(2)能量过滤磁控溅射技术过滤电极网孔目数不同时薄膜的结晶性能、表面粗糙度以及光学性质均存在差异,且随网孔目数的增加呈周期性变化;(3)过滤电极网孔目数为8目时,薄膜的结晶性能较好、薄膜较为均匀、透射率较高,为91.4%。