氧化铟锡薄膜的椭偏光谱研究

用溅射法在Si片上制备了厚度为140nm的氧化铟锡（ITO）薄膜。X射线衍射研究表明所制备的薄膜为多晶结构。在1．5～4．5eV范围内对ITO薄膜进行了椭偏测量。分别用德鲁德-洛伦茨谐振子（Drude4-Lorenzoscillators）模型、层进模型结合有效介质近似模型对椭偏参量ψ、△进行了拟合，得到ITO薄膜的折射指数n的变化范围在1.8～2.6之间，可见光范围内消光系数k接近于零，在350nm波长附近开始明显变化，且随着波长的减小k迅速增加。计算得到直接和间接光学带隙分别是3．8eV和4．2eV。并在1．5～4．5eV段给出一套较为可靠的、具有实用价值的ITO介电常量和光学常量。