氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析

用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅（a－Si：H）薄膜进行了诱导晶化处理。测量了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似（B－EMA）分析了结晶膜的微结构特性。研究表明：低能量密度辐照形成的结晶层需用含有a－Si：H的EMA混合物表征，说明其结晶度相对较低；而高能量密度辐照形成的结晶层，因其结晶度较高，可用不含a－Si：H的EMA混合物表征．在结晶膜与衬底之间形成了互混层，其厚度随能量密度增大而增大。当能量密度较高时，结晶层会与互混层剥离．采用椭偏谱数据拟合得到Si浓度的深度剖面分布后，可据此重构结晶膜的三维表面形貌图．

XeCl激光晶化制备多晶硅薄膜及椭偏谱分析

采用新型的两步激光晶化技术在玻璃衬底上制备出性能良好的多晶硅薄膜 ,并制作了多晶硅薄膜晶体管 ,其迁移率为 10 3cm2 /V·s ,开关态电流比为 1× 10 7。采用椭偏光谱法分析了薄膜的结构 ,并提出多层膜模型模拟薄膜结构。测量结果与计算数据十分吻合。

HF缓冲溶液处理Si（111）表面的化学稳定性椭偏谱研究

首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液（ＢＨＦ）处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性．研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２的Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ１临界点峰值却随之上升；在ｐＨ＝５．３的ＢＨＦ中腐蚀，再经去离子水漂洗后，可得到较稳定的Ｓｉ（１１１）表面，在空气中一小时之内基本不氧化．

自动旋转检偏器椭偏谱仪的研制及其应用

一、引言自动旋转检偏器椭偏谱仪是一种研究薄膜及表面的光学仪器,用于测量不同波长下,样品的折射率n、消光系数k、介电常数e1和e2、膜厚d 等光学参数,在物理、化学、电子、生物医学等研究中是一种十分有效的工具。1962年Budde 设计了旋转检偏器椭偏仪以后,这项技术在椭偏光测量领域获得了很大发展。1975年,Aspaes 等人报道了他们的、计算机化的高精度扫描椭偏仪,该仪器工作波长范围是2250～7200（?）,ψ的精密度±0.0005°,△的精密度±0.001°。1982年,江任荣等也报道了他们建立的手动式椭圆偏振光谱仪。本文介绍我们研制的、自动旋转检偏器椭偏谱仪（简称SRAE ）的结构、测量原理及应用。二、结构和工作原理SRAE 的结构如图1所示。有两种工作方式。处在工作方式Ⅰ时,检偏器和光电倍增管（简称PMT）与起偏器在同一直线上,适应于系统调试或透射式椭偏测量。SRAE 一般工作在方式Ⅱ状态,布局和定位如图1。测量时,起偏器的起偏角P 为30°,光对样品的入射角φ为70°。

0.5～2.0eV红外光自动椭偏谱仪的研制与应用

本文介绍了一种新型的0.5～2.0eV红外光自动椭偏谱仪.采用Boxcar积分平均仪来对红外探测器输出的信号进行平均处理.大大提高了信噪比.仪器波长的变换、检偏器的步进旋转、信号的采集与处理均由微机控制.测量精度高,适用于研究材料的红外光学特性.文中给出了GaSb单晶材料红外范围光学参数的测量结果.

用椭偏谱法研究硅（111）表面的化学处理

用ＲＡＰ型椭圆偏振光谱仪对不同化学处理的硅（１１１）表面的赝介电函数虚部ε２进行测量。结果表明：赝介电函数虚部ε２的Ｅ１（３．４０ｅＶ）、Ｅ２（４．２２ｅＶ）临界点峰值，尤其是Ｅ２对硅表面状态非常敏感；对不同腐蚀都有一个最佳腐蚀时间；对ＨＦ缓冲溶液处理的硅（１１１）表面，其稳定性不仅和溶液的ＰＨ值有关，还和后处理方法有关。

TPP-1型椭偏谱仪测膜厚的探讨

说明原椭偏谱仪不能直接测量膜厚,提出外加波长片后可以测量膜厚的2种方法.

La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜的化学溶液法制备及椭偏光谱研究

用化学溶液沉积法在Si衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO 3(LSCO)导电薄膜.X-射线衍射结果表明退火温度600℃可以使LSCO薄膜晶化,薄膜没 有明显的择优取向并呈单一的钙钛矿相.原子力显微镜研究结果表明LSCO薄膜表面平整、无 裂纹及晶粒尺寸较大.用椭偏光谱仪测量了波长300～1700nm范围内LSCO薄膜的椭偏光谱.用适当的拟合模型进行拟合,获得了LSCO 薄膜的光学常数(包括折射率,消光系数,吸收系数等)谱.

SiO_2薄膜TO与LO振动模式的数值研究

对Si-SiO2基底薄膜系统进行数值实验,将SiO2薄膜的能损函数与透过率光谱和反射椭圆偏振光谱进行对比,讨论了在红外透过率光谱和反射椭偏光谱中激发的SiO2薄膜TO和LO振动模式。在正入射的红外透过率光谱中,仅能发现SiO2薄膜的TO振动模式;在倾斜入射的s偏振透过率光谱中没有激发的LO模式;在倾斜入射的p偏振透过率光谱中,当入射角小于60°时,三个TO振动模式全部被激发;当入射角大于60°时,三个LO振动模式都被激发,而TO模式仅能激发两个。在反射椭偏光谱中,TO模式未被激发,仅能激发LO模式。在透过率光谱和反射椭偏谱中,振动频率分别具有向高波数和低波数方向频移的现象。

室温和液氮温度Si基底C60薄膜的微观结构与光学特性比较研究

在室温和液氮温度(77K)下用蒸镀法在Si(111)衬底上制备C60薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)研究两种不同基底上制备薄膜的微观结构,并用椭圆偏振光谱仪测量了光学参数(包括吸收光谱、折射率及光频介电常数)。结果表明,衬底温度降低,薄膜更均匀,颗粒更细,光学吸收峰位置出现蓝移且在整个光频范围吸收增强。

不同沉积速率微晶硅薄膜生长模式的蒙特卡洛模拟研究

采用标度理论比较了不同速率下微晶硅薄膜的生长模式。结果是:低速时薄膜的生长指数为0.19,高速时薄膜的生长指数为0.61,两者生长机理明显不同。通过蒙特卡洛模拟薄膜生长过程,结果表明:生长基元的粘附系数和扩散能力对不同生长速率下薄膜的生长有较大的影响。