自动旋转检偏器椭偏谱仪的研制及其应用

一、引言自动旋转检偏器椭偏谱仪是一种研究薄膜及表面的光学仪器,用于测量不同波长下,样品的折射率n、消光系数k、介电常数e1和e2、膜厚d 等光学参数,在物理、化学、电子、生物医学等研究中是一种十分有效的工具。1962年Budde 设计了旋转检偏器椭偏仪以后,这项技术在椭偏光测量领域获得了很大发展。1975年,Aspaes 等人报道了他们的、计算机化的高精度扫描椭偏仪,该仪器工作波长范围是2250～7200（?）,ψ的精密度±0.0005°,△的精密度±0.001°。1982年,江任荣等也报道了他们建立的手动式椭圆偏振光谱仪。本文介绍我们研制的、自动旋转检偏器椭偏谱仪（简称SRAE ）的结构、测量原理及应用。二、结构和工作原理SRAE 的结构如图1所示。有两种工作方式。处在工作方式Ⅰ时,检偏器和光电倍增管（简称PMT）与起偏器在同一直线上,适应于系统调试或透射式椭偏测量。SRAE 一般工作在方式Ⅱ状态,布局和定位如图1。测量时,起偏器的起偏角P 为30°,光对样品的入射角φ为70°。

0.5～2.0eV红外光自动椭偏谱仪的研制与应用

本文介绍了一种新型的0.5～2.0eV红外光自动椭偏谱仪.采用Boxcar积分平均仪来对红外探测器输出的信号进行平均处理.大大提高了信噪比.仪器波长的变换、检偏器的步进旋转、信号的采集与处理均由微机控制.测量精度高,适用于研究材料的红外光学特性.文中给出了GaSb单晶材料红外范围光学参数的测量结果.

TPP-1型椭偏谱仪测膜厚的探讨

说明原椭偏谱仪不能直接测量膜厚,提出外加波长片后可以测量膜厚的2种方法.

不同沉积速率微晶硅薄膜生长模式的蒙特卡洛模拟研究

采用标度理论比较了不同速率下微晶硅薄膜的生长模式。结果是:低速时薄膜的生长指数为0.19,高速时薄膜的生长指数为0.61,两者生长机理明显不同。通过蒙特卡洛模拟薄膜生长过程,结果表明:生长基元的粘附系数和扩散能力对不同生长速率下薄膜的生长有较大的影响。