薄膜的光谱椭圆偏光计量从容面对45nm及以下节点

光谱椭圆偏光法仍然会是薄膜监测的可选择技术．而且将满足日趋复杂的65和45nm计量需求。

聚合物薄膜表面分子取向的表征方法

随着聚合物分子的取向在日益增多的领域中得到广泛的应用,聚合物取向的表征方法也引起了人们的兴趣。综述了各种有效测定聚合物分子取向的表征方法,如紫外可见光谱法、傅立叶红外光谱法、反射椭圆偏光解析法、近场X射线吸收精细结构谱等等。

弱碱性介质中氯离子对铜电极腐蚀行为的影响

应用循环伏安法、Ｘ射线光电子能谱法、电化学阻抗谱法以及现场椭圆偏光法研究了在弱碱性介质中添加Ｃｌ－对铜电极腐蚀行为的影响．结果表明，Ｃｌ－的加入能加剧铜电极的腐蚀，使腐蚀电流以及现场椭圆偏振参数△的变化范围都增大１个数量级，Ｃｌ－对Ｃｕ２Ｏ的掺杂将使铜电极的表面膜变得疏松，膜的耐蚀性变差．椭圆偏光实验不仅与电化学和能谱实验的结果一致，而且还能定性地、清楚地分辨出铜电极腐蚀过程中Ｃｕ２Ｏ的生成、Ｃｌ－对Ｃｕ２Ｏ的掺杂、ＣｕＯ的生成等不同阶段；同时，利用恰当的模型还能定量地确定各个阶段铜电极表面膜的组成、厚度的变化，从而为研究铜电极的腐蚀与防护机理提供更多有用信息．

铜电极在弱碱性介质中腐蚀行为的研究

应用循环伏安法和现场椭圆偏光法研究了弱碱性介质中铜的腐蚀、钝化过程,并用二组分有效介质模型对光学实验结果进行了拟合.结果表明金属铜在腐蚀达到稳态时其表面氧化膜具有一定的组成和厚度;反应生成的CuO比Cu2O更为致密,因而对基体具有更好的保护作用;CuO的阴极还原过程可能会涉及到还原中间产物Cu+的歧化反应,该歧化反应的进行有助于铜耐蚀性的提高;CuO的还原可以在小于-0.45 V(vs.SCE)的电位范围内与Cu2O的还原同时进行.椭圆偏光实验不仅与电化学和光电化学实验的结果一致,还能定量地确定膜的厚度、折射率等性质;并根据有效介质模型,可以计算得到不同时刻电极表面膜组成的改变,从而为研究电极反应机理提供新的证据.

薄膜度量系统

Aleris^TM系列薄膜度量系统，从Aleris8500开始，是一套将可用于生产的成份与多层薄膜厚度测定结合在一起的系统。Alefis8500系统以该公司的Spectra Fx200技术为基础，主要采用下一代宽带光谱椭圆偏光法光学元件，能够检验和监测先进的薄膜，包括新型材料、结构与设计基底。该系统独特的150nmBBSE可为成份测定提供更好的灵敏度，可用于产品晶片上的关键门控应用之生产监测的单一工具解决方案。Aleris的Stress Mapper^TM模块能够以更高的产能提供更高的空间分辨率，可用于高应力薄膜中2D应力的生产监测。

KLA—Tencor推出两款新型薄膜量测系统 扩充Aleris系列

KLA-Tencor公司近日推出Aleris8310和A-1efts8350，在Aleris系列薄膜量测系统中增添了两款新品。这些量测系统采用KLA-Tencor的最新一代宽带光谱椭圆偏光法（Broadband Spectroscopic Ellipsometry，BBSE）光学元件，让芯片制造商能够测量多层薄膜的厚度、折射率与应力来满足先进的薄膜度量要求。

KLA-Tencor推出Aleris薄膜度量系列新品

KLA-Tencor宣布推出Aleris 8310和Aleris 8350,在Aleris系列薄膜量测系统中增添了两款新品。这些量测系统采用KLA-Tencor的最新一代宽带光谱椭圆偏光法（Broadband Spectroscopic Ellipsometry,BBSE）光学组件,让芯片制造商能够测量多层薄膜的厚度、折射率与应力来满足先进的薄膜度量要求。