碳化硅晶圆的清洗工艺研究

随着碳化硅功率芯片的线宽要求越来越高,污染物对晶圆和器件的影响也愈发突出,以致于洁净表面的清洗技术日益重要。本文借鉴传统的硅片清洗方法,开发了碳化硅晶圆的清洗工艺,并介绍了常用的晶圆清洗方法。其中湿法清洗占主流地位,湿法清洗工艺多采用RCA标准清洗法,配合一些基于物理的清洗方式如超声波、兆声波,流体射流、毛刷等,可满足大多数晶圆片的清洗要求。对于湿法清洗,常用清洗设备为槽式多片清洗机和单片清洗机等。掌握晶圆片清洗工艺技术是碳化硅晶圆产品开发中的关键环节。

硅片湿法清洗工艺技术及设备发展趋势

简要介绍了硅片湿化学清洗工艺技术及清洗设备结构技术,包括一些典型的槽体结构、干燥工艺技术等。并就清洗技术的发展需要,阐述未来清洗设备的发展趋势。

H_2O超声过程中H_2O_2生成动力学

采用 5 0kHz超声清洗槽式声化学反应器 ,以纯水为空化液体 ,研究了超声过程中H2 O2 生成动力学 .分别探讨了空化气体种类 (Ar,O2 )及组成与流量、空化液体体积与反应器形状对H2 O2 生成速率及产率的影响 .结果表明 ,超声过程中H2 O2 的生成可采用零级反应动力学方程来进行描述 .在此频率下和考察范围内 ,采用Ar作为空化气体比O2 更有利于H2 O2 的生成 .当混合气体组成为Ar∶O2 =70∶30 (V/V)时 ,H2 O2 的生成速率最快 .随着空化气体流量的增加 ,H2 O2 产率增加 ,随后降低 .增加空化液体的体积 ,H2 O2 的生成速率降低 .与锥形瓶相比 ,圆底烧瓶中H2 O2