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基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计 |
刘彦娟
韩迪
贾德振
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《实验技术与管理》
CAS
北大核心
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2023 |
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2
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硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响 |
邵红旭
吴峻峰
韩郑生
孙宝刚
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《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
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2006 |
4
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3
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新型槽栅MOSFETs的特性 |
曹艳荣
马晓华
郝跃
于磊
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
0 |
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4
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AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究 |
王冲
全思
张金凤
郝跃
冯倩
陈军峰
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
1
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