宏模块布局是超大规模集成电路(very large scale integration,VLSI)物理设计的核心环节之一,对集成电路的性能有重大影响。随着越来越多的知识产权核和其他预先设计的宏模块被广泛采用,VLSI通常集成数百个甚至上千个宏模块,给其布局带...宏模块布局是超大规模集成电路(very large scale integration,VLSI)物理设计的核心环节之一,对集成电路的性能有重大影响。随着越来越多的知识产权核和其他预先设计的宏模块被广泛采用,VLSI通常集成数百个甚至上千个宏模块,给其布局带来了巨大挑战。基于此,聚焦VLSI宏模块布局研究,首先介绍VLSI布局的研究背景;其次阐述2D宏模块布局算法的主要类型和发展,包括基于解析和基于打包的2D宏模块布局算法;最后探讨宏模块布局未来的研究趋势,主要包括3D宏模块布局和基于机器学习的宏模块布局方法。展开更多
针对多芯片功率模块MCPMs(multi-chip power modules)从功率模块布局设计角度对碳化硅SiC(sili-con carbide)MOSFET的并联不均流进行了研究。理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因,在忽略器件自身差异的情况下,重点分析了非对称布...针对多芯片功率模块MCPMs(multi-chip power modules)从功率模块布局设计角度对碳化硅SiC(sili-con carbide)MOSFET的并联不均流进行了研究。理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因,在忽略器件自身差异的情况下,重点分析了非对称布局对功率管并联不均流的影响。在此基础之上,以集成化大功率固态功率控制器SSPC(solid-state power controller)为背景,提出了3种适用于大功率SSPC集成功率模块的非对称布局,分别对3种布局的不均流电流进行了理论分析,并利用Ansoft Q3D提取寄生参数在Saber中对模块的动态开关过程进行仿真。仿真结果表明,通过合理的布局可以减小非对称布局引起的寄生电感不对称对SiCMOSFET并联不均流造成的影响。展开更多
文摘宏模块布局是超大规模集成电路(very large scale integration,VLSI)物理设计的核心环节之一,对集成电路的性能有重大影响。随着越来越多的知识产权核和其他预先设计的宏模块被广泛采用,VLSI通常集成数百个甚至上千个宏模块,给其布局带来了巨大挑战。基于此,聚焦VLSI宏模块布局研究,首先介绍VLSI布局的研究背景;其次阐述2D宏模块布局算法的主要类型和发展,包括基于解析和基于打包的2D宏模块布局算法;最后探讨宏模块布局未来的研究趋势,主要包括3D宏模块布局和基于机器学习的宏模块布局方法。
文摘针对多芯片功率模块MCPMs(multi-chip power modules)从功率模块布局设计角度对碳化硅SiC(sili-con carbide)MOSFET的并联不均流进行了研究。理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因,在忽略器件自身差异的情况下,重点分析了非对称布局对功率管并联不均流的影响。在此基础之上,以集成化大功率固态功率控制器SSPC(solid-state power controller)为背景,提出了3种适用于大功率SSPC集成功率模块的非对称布局,分别对3种布局的不均流电流进行了理论分析,并利用Ansoft Q3D提取寄生参数在Saber中对模块的动态开关过程进行仿真。仿真结果表明,通过合理的布局可以减小非对称布局引起的寄生电感不对称对SiCMOSFET并联不均流造成的影响。