集成电路模塑封装机液压系统

依据半导体集成电路制造技术及封装工艺要求 ,讨论了模塑封装压机的结构特点及液压控制统应具备的性能。介绍。

PBGA中环氧模塑封装材料的热力学应力分析

本文采用有限元模拟的方法,对塑封焊球栅阵列PBGA的再回流焊接过程及其后的热循环进行了仿真,其中环氧模塑封装材料EMC采用了粘弹性和线弹性两种材料模式。仿真中主要对EMC再回流焊接过程产生的残余应力和热循环载荷下的热应力／应变进行了分析;也讨论了EMC材料模式对应力值的影响。结果表明:线弹性模式的EMC的应力值明显高于粘弹性模式的;在热循环载荷下EMC中应力水平并不高,但开裂应变却非常高,因此在EMC中很可能引发疲劳裂纹。

环氧模塑封装材料的疲劳性能研究

采用疲劳实验系统对环氧模塑封装材料(EMC)的热机械疲劳性能进行了测试,并采用扫描电子显微镜(SEM)对疲劳断口进行了分析。结果表明,实验温度越高,试样所承受的应力水平越大,其疲劳寿命就越低;实验温度较低时,EMC在疲劳失效前没有出现应变突然增加的现象,随着实验温度的升高,一定循环内应变幅值增加得较快,而且单一循环内,温度越高应变幅值增加越大,疲劳失效也越快;EMC的疲劳断口分析表明,硅颗粒与环氧基质间的分层、环氧基质间的开裂、硅颗粒本身的开裂是其疲劳失效的主要形式,其中,高温情况下的最主要疲劳失效为硅颗粒与环氧基质间的分层。

模塑阵列封装BGA的翘曲问题

全球BGA封装市场正在不断增大,然而,与QFP封装相比较,BGA封装也存在不足之处。模塑阵列封装BGA(MAP-BGA)的翘曲问题是其主要缺陷,为了减小翘曲,提高BGA封装的特性,应研究模塑料、粘片胶和基板材料,并使这些材料最佳化。

探讨采用绿色和非绿色模塑料封装的功率MOSFET器件之性能

绿色指令推动半导体厂家在其微电子产品封装中摒弃氧化锑、阻燃剂及卤代化合物之类的环境有害物质,然而人们可能担心,绿色封装中的新化学材料有可能影响半导体器件的性能。本文中通过热压应力测试对采用绿色和非绿色环氧模塑料(EMC)封装的功率晶体管的性能进行了评测。实验表明,绿色器件的电气和物理性能都优于非绿色器件。

半导体集成电路(IC)封装用树脂的最新技术动向

目前,1C封装技术的主流是采用低压传递模型法的非气管性封装(树脂封装)。采用低压传递模塑法的树脂封装之所以成为主流,原因有下述三点: (1)可靠性高(由于树脂的改性、IC芯片表面钝化技术的进步)。 (2)适合于大量生产。

PBGA固化后产生翘曲的有限元模拟分析

由于PBGA器件中各材料热膨胀系数有差异,固化后易产生翘曲变形。采用有限元模拟法对PBGA器件的EMC封装固化和后固化过程进行了分析。结果表明:固化过程是影响翘曲的关键过程,残余应力增加,翘曲变形有所增加。如固化后最大残余应力为95.24MPa,翘曲位移为0.1562mm;后固化以后最大残余应力为110.3MPa,翘曲位移为0.1674mm,翘曲位移增加值仅为0.0112mm。适当增加硅粉填充剂的含量,可以减小固化工艺后的翘曲变形。

ZVD型片式塑封ZnO压敏电阻器的制备

用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题。将ZnO陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了片式塑封ZnO压敏电阻器。该产品与片式单层矩形和多层矩形ZnO压敏电阻器相比,具有更高的可靠性和性价比。

单层圆片带引线元件的片式化实现

介绍了在单层陶瓷圆片的基础上实现单层陶瓷圆片带引线元件的片式化。即将陶瓷芯片夹于上下连体扁平引线中间并焊接,模塑环氧树脂封装,再分割切开引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了用单层圆片制成的片式结构元件。已开发出CCH单层塑封型片式高压瓷介电容器、CCF单层塑封型片式交流瓷介电容器、ZVD单层塑封型片式氧化锌压敏电阻器产品,其结构坚固牢靠、防潮性能好、散热性能好、可靠性高,适应用于SMT生产。

CCH型片式高压陶瓷电容器

MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。

飞思卡尔射频工业组合喜添坚固耐用的塑封型功率放大器

飞思卡尔半导体日前推出专为坚固耐用型应用而设计的首款塑封器件，继续保持在射频功率技术领域的长期领导地位。新款MRFE6VP5150N/GN 和 MRFE6VP5300N/GN功率放大器是业界首个驻波比大于65：1的额定器件，采用模塑封装。

CCF型片式塑封交流瓷介电容器

用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接,再用模塑环氧树脂封装,然后分割并切开连体引线,将切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到仍是用单层被银瓷片制成的片式塑封交流瓷介电容器,该产品比ML-CC交流瓷介电容器的制造更容易,可靠性更高,且适用于表面贴装。

飞思卡尔喜添塑封型功率放大器

飞思卡尔半导体日前推出专为坚固耐用型应用而设计的首款塑封器件，继续保持在射频功率技术领域的长期领导地位。新款MRFE6VP5150N／GN和MRFE6VP5300N，GN功率放大器是业界首个驻波比大于65：1的额定器件，采用模塑封装。

TMV POP热翘曲变形及可靠性

研究了穿透模塑通孔（TMV）结构的叠层封装（POP）热翘曲变形及可靠性。采用云纹干涉的方法测量了回流过程中POP上下层球形矩阵排列（BGA）的热翘曲变形。通过加速热循环（ATC）试验和四点弯曲循环试验,分别比较了不同组装工艺的POP BGA在相同的热翘曲变形条件下的可靠性。结果表明,顶层BGA无论浸蘸助焊剂还是助焊膏均能得到优异的可靠性;但底层BGA在四点弯曲循环可靠性试验中,采用浸蘸助焊膏工艺的可靠性明显低于印刷工艺。此外,增加底部填充工艺需要采用热膨胀系数匹配的材料,否则会降低焊点的温度循环可靠性,加速其失效的进程。

咪唑衍生物作为环氧树脂潜伏性固化促进剂的研究

利用2-甲基咪唑(2MI)和2-乙基-4-甲基咪唑(EMI)分别与氯化偏苯三酸酐(TAAC)发生亲核取代反应,制备得到了2-甲基咪唑-氯化偏苯三酸酐(2MI-T)和2-乙基-4-甲基咪唑-氯化偏苯三酸酐(EMI-T),并将其用作环氧树脂/酚醛树脂(E/P)体系的潜伏性固化促进剂。通过核磁共振氢谱(1H-NMR)和傅里叶红外谱图(FT-IR)证明了2MI-T和EMI-T的成功合成。利用示差扫描量热法(DSC)研究了E/P体系的非等温固化行为,结果表明加入改性咪唑的体系固化放热峰整体向高温区移动约40℃。固化动力学分析表明体系的活化能平均升高约15 kJ/mol,证明改性后的咪唑具有良好的热潜伏性。此外红外光谱及DSC分析表明单组分E/P体系的贮存期可达四周。