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64M DRAM耐回流焊模封树脂技术的开发
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作者 郝福申 《计算机与信息处理标准化》 1997年第4期49-51,共3页
表面组装型LSI在封装中遇到的一个重要问题是回流焊封装裂纹现象。随着LSI高集成度以及半导体芯片面积相应增大,它们都导致了回流时应力增加而引起裂纹。在开发适用于高64M DRAM的模封树脂时,为了降低上述应力,以往采... 表面组装型LSI在封装中遇到的一个重要问题是回流焊封装裂纹现象。随着LSI高集成度以及半导体芯片面积相应增大,它们都导致了回流时应力增加而引起裂纹。在开发适用于高64M DRAM的模封树脂时,为了降低上述应力,以往采取的两种方法:一是增强紧密性接触;二是降低吸湿性。然而运用这些方法又担心产生以下两个新的问题,一是在高温贮存条件下可能降低产品性能;第二可能降低成形性能。 展开更多
关键词 耐回流焊 模封树脂 DRAM 存储器
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