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模拟数字混合电路的元件连接模型及其生成方法
1
作者
王恒升
《韶关大学学报》
1995年第4期41-48,共8页
本文在介绍CCM原理的基础上,讨论了模拟数字混合电路的元件连接模型,并给出了其计算机生成方法。
关键词
电
路
分析
元件连接模型
模拟数字混合电路
生成方法
下载PDF
职称材料
基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器
2
作者
刘道广
李荣强
+9 位作者
石建刚
何开全
刘玉奎
谭开州
张静
杨秋冬
钟怡
舒曼
徐婉静
徐世六
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第z1期271-274,共4页
基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非...
基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非线性误差为1/2 LSB,功耗为500mW.
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关键词
数字
/
模拟
混合
电
路
双极Bi/CMOS兼容工艺
D/A转换器
下载PDF
职称材料
一种16位高速D/A转换器的研究
被引量:
1
3
作者
李荣强
石建刚
何开全
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期689-693,697,共6页
介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差±8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,...
介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差±8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,采用2.0μmBiCMOS工艺制作。该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻。NPN晶体管特征频率fT为4.0GHz;CMOS管的栅氧化层为30nm,耐压为12.0V。
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关键词
数字
/
模拟
混合
电
路
D/A转换器
BICMOS工艺
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职称材料
题名
模拟数字混合电路的元件连接模型及其生成方法
1
作者
王恒升
机构
韶关大学机电系
出处
《韶关大学学报》
1995年第4期41-48,共8页
文摘
本文在介绍CCM原理的基础上,讨论了模拟数字混合电路的元件连接模型,并给出了其计算机生成方法。
关键词
电
路
分析
元件连接模型
模拟数字混合电路
生成方法
Keywords
Circuit analysis
Component connection moded analog-digit al hybrid
分类号
TN710 [电子电信—电路与系统]
TN79 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器
2
作者
刘道广
李荣强
石建刚
何开全
刘玉奎
谭开州
张静
杨秋冬
钟怡
舒曼
徐婉静
徐世六
机构
清华大学微电子学研究所
国家模拟集成电路重点实验室
中国电子科技集团电子
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第z1期271-274,共4页
基金
国防预先研究资助项目
文摘
基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非线性误差为1/2 LSB,功耗为500mW.
关键词
数字
/
模拟
混合
电
路
双极Bi/CMOS兼容工艺
D/A转换器
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种16位高速D/A转换器的研究
被引量:
1
3
作者
李荣强
石建刚
何开全
机构
模拟集成电路国家重点实验室 中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期689-693,697,共6页
文摘
介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差±8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,采用2.0μmBiCMOS工艺制作。该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻。NPN晶体管特征频率fT为4.0GHz;CMOS管的栅氧化层为30nm,耐压为12.0V。
关键词
数字
/
模拟
混合
电
路
D/A转换器
BICMOS工艺
Keywords
Digital/analog mixed signal circuit
Digital-to-analog converter
BiCMOS
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
模拟数字混合电路的元件连接模型及其生成方法
王恒升
《韶关大学学报》
1995
0
下载PDF
职称材料
2
基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器
刘道广
李荣强
石建刚
何开全
刘玉奎
谭开州
张静
杨秋冬
钟怡
舒曼
徐婉静
徐世六
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
下载PDF
职称材料
3
一种16位高速D/A转换器的研究
李荣强
石建刚
何开全
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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