一种模拟温度补偿晶体振荡器补偿参数自动设置系统

介绍了一种采用快速获取数据方法的模拟温度补偿晶体振荡器 (ATCXO)的补偿参数自动设置系统。该系统通过快速测量和计算 ,自动生成补偿网络参数。经过试验和测试分析 ,在 - 10～ +6 0℃温度范围内 ,AT切 TCXO的频率稳定度达到± 0 .5 ppm,同时极大地提高了 TCXO的生产效率、降低了生产成本。

新型模拟温度补偿晶体振荡器

主要提出了一种用于移动通信中间接的模拟温度补偿晶体振荡器(ATCXO),它的温度补偿性能比国内现有的模拟温度补偿晶体振荡器更精确,且适于集成小型化,克服了普通的温度补偿晶体振荡器(TCXO)调试量大的困难,易于实现自动测量和自动补偿。该文提出的TCXO包括两部分:一是适于集成的温度补偿电路部分,它与以往的TCXO不同,其内部装有的模拟方式三次电压发生器及记忆存储器的大规模集成电路(LSI)进行温度补偿的方式取代了以前使用的热敏电阻和电容器的温度补偿方法,其中三次电压发生器又包括三次项和线性项,并且输出随温度变化的三次电压曲线;二是压控晶体振荡器(VCXO)部分,它具有很好的线性电压-频率特性。采用了单片LSI的TCXO的体积大大减小,且在-30^+80℃的宽温度范围内能获得±2.5×10-6以内的精度。

用于晶体振荡器温度补偿的次方电压产生方法

为了获得更高精度的时钟源,需要对晶体振荡器进行温度补偿以便减小频率随温度的变化。对比晶体振荡器不同的温度补偿方式,模拟温度补偿具有较高的性能,而模拟温度补偿电路的主要模块就是获取与温度成次方关系的补偿电压。文中采用了一种模拟乘法器的方法来获得与温度成不同指数关系的电压,在全差分放大器的输入端接入4个MOS管,利用其工作于线性区时的电流电压关系并结合全差分放大器来实现两个模拟量之间的相乘,进而获得与温度成1次方、2次方、3次方、4次方和5次方关系的补偿电压。获得的这些电压通过加和电路叠加后即可用于晶体振荡器的高阶温度补偿。通过仿真,得到全差分放大器的差模增益为78.6 dB,乘法器可以实现两个信号的相乘,且应用该方法进行补偿的晶体振荡器的频率偏移为±2 ppm。

采用温度回升法对任意结晶区间的铸件凝固结晶潜热的数值计算

铸件凝固结晶潜热的释放行为与凝固传热、溶质传输及铸造合金种类与成分等诸多因素有关,合金凝固过程中其温度、固相体积分数与液相成分(T-fs-C_L)三者之间一般存在着非线性强耦合关系,采用合金凝固传输统一模型及温度回升(补偿)法提出的处理任意结晶温度区间(包括零结晶区间)凝固潜热释放问题的数值迭代计算方法,对不同合金成分与不同固相反扩散效应的二维Al-Cu合金铸件定向凝固传输过程进行了数值计算,表明该方法对于从纯金属到共晶成分的不同成分合金及从Scheil模型到Lever—Rule模型之间的任意凝固模式均是有效的,将该方法推广应用于叶片铸件三维凝固传输过程的T—fs—C_L耦合数值模拟仍显示出高的计算效率,通过对计算结果进行的三维图像数据处理,展示了铸件几何形状对凝固传输行为的重要影响。

一款新型高频率稳定度ATCXO芯片的设计

基于0.35μm CMOS工艺,采用全模拟电路设计实现了温度补偿晶体振荡器芯片(ATCXO)。设计了新型三次函数发生器补偿电路,并利用E2PROM记忆系统温度参数实现自动修调;为进一步提高输出频率稳定度,设计了振荡器电压稳定电路,消除电源电压的影响。仿真结果表明,在-40℃～+100℃宽温度范围内,工作电压为3.3 V,频率温度稳定度为±2.0×10-6,且随电源电压变化率小于±1.5×10-6,最差相位噪声为-115 dBc/Hz@100 Hz和-136 dBc/Hz@1 kHz。

基本电路

0623013驱动多个固态继电器的单个振荡器[刊,中]/Juan Ram//电子设计技术．—2006,13(6)．—112-114(C) 0623014一种基于电压向量分解的金属探测器的研制[刊,中]/邱瑞昌//电子质量．—2006,(6)．—20-22(D) 0623015压电驱动阵列微喷的加工及实验研究[刊,中]/朱俊华//压电与声光．—2006,28(3)．—360-362,366(L) 0623016新型模拟温度补偿晶体振荡器[刊,中]/梁珣//压电与声光．—2006,28(3)．—260-262(L) 0623017基于开关信号理论的电流型CMOS多值施密特电路设计[刊,中]/杭国强//电子学报．—2006,34(5)．—924-927(E)