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Latch-up测试中负电流的影响和防护
1
作者
孙俊岳
《电子技术应用》
2018年第5期36-38,共3页
阐述了在Latch-up测试中负电流的产生机理,以及芯片内部寄生双极晶体管对负电流的连锁反应机理,并以模拟电压缓冲器和线性稳压器为例分析了负电流对芯片可能造成的影响,最后提出了一系列在芯片内部可以采取的防护措施。
关键词
LATCH-UP
负电流
模拟电压缓冲器
线性稳压器
下载PDF
职称材料
题名
Latch-up测试中负电流的影响和防护
1
作者
孙俊岳
机构
戴泺格集成电路(天津)有限公司
出处
《电子技术应用》
2018年第5期36-38,共3页
文摘
阐述了在Latch-up测试中负电流的产生机理,以及芯片内部寄生双极晶体管对负电流的连锁反应机理,并以模拟电压缓冲器和线性稳压器为例分析了负电流对芯片可能造成的影响,最后提出了一系列在芯片内部可以采取的防护措施。
关键词
LATCH-UP
负电流
模拟电压缓冲器
线性稳压器
Keywords
Latch-up
negative current
analog voltage buffer
LDO
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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作者
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1
Latch-up测试中负电流的影响和防护
孙俊岳
《电子技术应用》
2018
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