360°模拟移相器平衡插入损耗和拓宽频带的研究

本文论证了用电阻补偿法平衡 360°模拟移相器插入损耗波动的正确性 ,并推导出确定移相器频带宽度的目标函数 ,籍 CAD给出移相器在最大带宽条件下的有关设计参量 ,通过直观曲线为选择变容二极管作理论依据。采用微波集成电路工艺制作的模拟移相器在 1.3～ 2 .1GHz范围内可获得 360°连续可变相移 ,最大调相电压 18V,中心频率线性度优于± 2 .5% ,插入损耗波动小于 3d B。

KA波段模拟移相器的仿真设计

利用ADS2009仿真并设计了一种KA波段模拟移相器,其工作频段为19.6~21.2 GHz,工作带宽为1.6 GHz。在设计中采用skyworks公司的SMV2019变容二极管,以砷化镓陶瓷基片作为基板,金属金作为微带线的导体材料,并在设计中采用馈电分支线耦合器电桥模式,最终设计出一款最大移相能力为105.226°的连续可调的压控模拟移相器。

Ku波段反射型模拟移相器仿真设计

基于改变射频信号在传输过程中的相移的目的。采用环形正交90°分支线耦合器实现较宽工作带宽,变容二极管获得较大的移相范围。通过ADS2011仿真设计了一种用于Ku波段的反射型模拟移相器,其工作频段为17.7～19.2 GHz,工作带宽1.5 GHz,插入损耗小于3 dB。最终设计出一款最大移相量为160°的连续可调的压控模拟移相器。

低损耗360°X波段模拟移相器

介绍了低损耗反射型模拟移相器电路并报道了实验结果。这个电路集几个设计特征为一体,在X波段产生线性360°相移并且实现在所有相位状态下插损仅4.8dB,变化±0.5dB。这些结果提高了以前报道的X波段移相器性能,相移范围大,衰减小以及随相位状态变化幅度变化低。

模拟压控移相器(英文)

介绍了利用铁氧体磁环制作窄带 3dB耦合器的原理和方法 ,详细分析了利用此耦合器设计制作模拟压控移相器的理论和制作技巧 ,以及所制作的多种频率的压控移相器的测试技术指标和实际运行情况。

微控制器控制模拟移相器

移相器广泛应用于各种电路，但由于在放大器中的偏差以及电容公差，通常很难实现电路精确控制所需的精确移相。图1中的电路利用AD522764步递增／递减数字电位器IC3可以控制输入到输出的移相．并替换电阻值。计算输出中心频率的公式为：FCENTER=1／（2×π×R×C）。AD5227可以取各种不同范围的电阻值。该例子中的电阻为10kΩ。通过步进64个点．720kHz输入正弦波可以从0度到360度循环若干次。AD5227作为一个电位器，A和B为两端．W为擦拭器。

几种超小型GaAs微波/毫米波集成电路移相器

介绍几种新颖的超小型1GHz～26Hz高性能11.25°GaAs微波/毫米波集成电路移相器的设计、制造和性能。这几种移相器可以兼容不同的模拟或数字控制信号。

基于GaAs工艺的新型I-Q矢量调制器芯片设计

在传统的单平衡式I-Q矢量调制器的基础上,提出了一种新颖的I-Q矢量调制方法。通过采用180°模拟移相器替代传统的双相调制器和衰减器,从而降低了插入损耗并减小了芯片面积。最终,本文采用0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计出了一款K波段单片集成的I-Q矢量调制器。实测结果表明:在21~23GHz频带内,该芯片实现了0到360°的连续变化的相位调制,其幅度调制深度大于20dB,插入损耗小于11.2dB。