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模拟预失真功率放大器的研制
被引量:
2
1
作者
朱峰
方家兴
+1 位作者
吴洪江
郝朝辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期595-598,614,共5页
针对高线性功率放大器在通信领域的应用,设计了一款模拟预失真功率放大器芯片。对预失真器原理与结构进行了分析,采用兰格耦合器提高信号隔离度,利用T型结构电阻网络增加衰减量,给出了线性功率放大器的设计方案,通过抵消主功率放大器产...
针对高线性功率放大器在通信领域的应用,设计了一款模拟预失真功率放大器芯片。对预失真器原理与结构进行了分析,采用兰格耦合器提高信号隔离度,利用T型结构电阻网络增加衰减量,给出了线性功率放大器的设计方案,通过抵消主功率放大器产生的三阶分量来提高线性度。利用仿真软件对预失真电路进行仿真优化,最后基于GaAs微波功率器件工艺成功研制了模拟预失真功率放大器。实验结果表明,工作频率在10.1 GHz、1 d B压缩点输出功率(P_(o(1dB)))的条件下,测得功率放大器自身的三阶交调失真比为-20 dBc,引入这种新型预失真技术后,功率放大器在Po(1 dB)下的三阶交调失真比达到-45.6 dBc,三阶交调失真改善量约25.6 dB。功率放大器的芯片面积为4.3 mm×3.00 mm。
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关键词
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
功率放大器
模拟预失真技术
线性功率放大器
三阶交调
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职称材料
一种双路矢量合成式毫米波预失真线性化器
被引量:
5
2
作者
邓海林
张德伟
+3 位作者
周东方
李文朝
吕大龙
展利
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期134-138,共5页
针对目前行波管放大器模拟预失真技术中存在的幅度和相位特性关联性强的问题,提出一种双路矢量合成式预失真器。该预失真器由90。电桥、模拟电调衰减器和反射式二极管预失真电路构成。根据理论分析和ADS软件仿真结果加工了实际电路并...
针对目前行波管放大器模拟预失真技术中存在的幅度和相位特性关联性强的问题,提出一种双路矢量合成式预失真器。该预失真器由90。电桥、模拟电调衰减器和反射式二极管预失真电路构成。根据理论分析和ADS软件仿真结果加工了实际电路并进行测试。实测结果表明:在工作频率29~31GHz和额定输入功率区间内,该电路可实现与行波管特性相反的预失真性能;合理调整两支路偏置电压,可实现相位扩张改变30°,而增益扩张变化量小于1dB的性能,有效减小了模拟预失真器幅度和相位特性的关联性。
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关键词
行波管放大器
模拟预失真技术
非线性
失真
幅度和相位关联性
双路矢量合成
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职称材料
新型预失真功率放大器的研制
被引量:
1
3
作者
胡松祥
樊永山
+1 位作者
沈林泽
吴景峰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期955-958,共4页
针对高线性功率放大器的实现途径,设计了一款应用模拟预失真技术与自适应预失真技术相结合的功率放大器。首先对预失真技术进行了原理性分析,阐述了模拟预失真技术的工作原理;然后给出了线性功率放大器的具体设计方案,功率放大器的频率...
针对高线性功率放大器的实现途径,设计了一款应用模拟预失真技术与自适应预失真技术相结合的功率放大器。首先对预失真技术进行了原理性分析,阐述了模拟预失真技术的工作原理;然后给出了线性功率放大器的具体设计方案,功率放大器的频率范围为2 280~2 300 MHz,饱和输出功率为14 W,在1 dB功率压缩点(P-1)的情况下测得此功率放大器自身的三阶交调失真比为-12 dBc。实验结果表明,引入这种新型预失真技术后,线性功率放大器在P-1下的三阶交调失真比达到-20.78 dBc,三阶交调失真改善量约9 dB。证明了这种新型预失真技术方案有效并给出了这种新型线性化技术的前景与改进措施。
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关键词
功率放大器
模拟预失真技术
自适应
预
失真
技术
线性功放
三阶交调
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职称材料
题名
模拟预失真功率放大器的研制
被引量:
2
1
作者
朱峰
方家兴
吴洪江
郝朝辉
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
装甲兵工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期595-598,614,共5页
文摘
针对高线性功率放大器在通信领域的应用,设计了一款模拟预失真功率放大器芯片。对预失真器原理与结构进行了分析,采用兰格耦合器提高信号隔离度,利用T型结构电阻网络增加衰减量,给出了线性功率放大器的设计方案,通过抵消主功率放大器产生的三阶分量来提高线性度。利用仿真软件对预失真电路进行仿真优化,最后基于GaAs微波功率器件工艺成功研制了模拟预失真功率放大器。实验结果表明,工作频率在10.1 GHz、1 d B压缩点输出功率(P_(o(1dB)))的条件下,测得功率放大器自身的三阶交调失真比为-20 dBc,引入这种新型预失真技术后,功率放大器在Po(1 dB)下的三阶交调失真比达到-45.6 dBc,三阶交调失真改善量约25.6 dB。功率放大器的芯片面积为4.3 mm×3.00 mm。
关键词
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
功率放大器
模拟预失真技术
线性功率放大器
三阶交调
Keywords
Ga As pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)
power amplifier
analog predistortion technology
linearization power amplifier
third order intermodulation distortion
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种双路矢量合成式毫米波预失真线性化器
被引量:
5
2
作者
邓海林
张德伟
周东方
李文朝
吕大龙
展利
机构
解放军信息工程大学信息系统工程学院
中国电子科技集团公司第四十一研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期134-138,共5页
基金
国家重大科技专项
文摘
针对目前行波管放大器模拟预失真技术中存在的幅度和相位特性关联性强的问题,提出一种双路矢量合成式预失真器。该预失真器由90。电桥、模拟电调衰减器和反射式二极管预失真电路构成。根据理论分析和ADS软件仿真结果加工了实际电路并进行测试。实测结果表明:在工作频率29~31GHz和额定输入功率区间内,该电路可实现与行波管特性相反的预失真性能;合理调整两支路偏置电压,可实现相位扩张改变30°,而增益扩张变化量小于1dB的性能,有效减小了模拟预失真器幅度和相位特性的关联性。
关键词
行波管放大器
模拟预失真技术
非线性
失真
幅度和相位关联性
双路矢量合成
Keywords
travelling wave tube amplifier
analog predistortion technology
nonlinear distortion
correlation between amplitude and phase
dual-branch vector synthesis
分类号
TN830.6 [电子电信—信息与通信工程]
下载PDF
职称材料
题名
新型预失真功率放大器的研制
被引量:
1
3
作者
胡松祥
樊永山
沈林泽
吴景峰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
西安电子科技大学电子工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期955-958,共4页
文摘
针对高线性功率放大器的实现途径,设计了一款应用模拟预失真技术与自适应预失真技术相结合的功率放大器。首先对预失真技术进行了原理性分析,阐述了模拟预失真技术的工作原理;然后给出了线性功率放大器的具体设计方案,功率放大器的频率范围为2 280~2 300 MHz,饱和输出功率为14 W,在1 dB功率压缩点(P-1)的情况下测得此功率放大器自身的三阶交调失真比为-12 dBc。实验结果表明,引入这种新型预失真技术后,线性功率放大器在P-1下的三阶交调失真比达到-20.78 dBc,三阶交调失真改善量约9 dB。证明了这种新型预失真技术方案有效并给出了这种新型线性化技术的前景与改进措施。
关键词
功率放大器
模拟预失真技术
自适应
预
失真
技术
线性功放
三阶交调
Keywords
power amplifier
analog pre-distortion
adaptive pre-distortion
linear PA
IMD3
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
模拟预失真功率放大器的研制
朱峰
方家兴
吴洪江
郝朝辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
下载PDF
职称材料
2
一种双路矢量合成式毫米波预失真线性化器
邓海林
张德伟
周东方
李文朝
吕大龙
展利
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
5
下载PDF
职称材料
3
新型预失真功率放大器的研制
胡松祥
樊永山
沈林泽
吴景峰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
下载PDF
职称材料
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