片状模板对电泳沉积制备织构化氧化铝的影响

本文研究不同片状氧化铝模板含量和形态对电泳沉积方法制备织构化氧化铝陶瓷的影响。结果表明,不同形态片状模板的加入都会使氧化铝的密度下降,并且模板含量增加越多,密度下降也越大。在加入量超过6%后能制备出具有一定取向的氧化铝陶瓷,但加入量进一步提高时,由于堆积密度的下降,晶粒尺寸也有所下降。不同形态的片状模板对织构化形成的影响较大,径厚比越低的模板越有利于致密化的提高,但是径厚比较大的模板更有利于织构化结构的形成。

TGG法制备Sr2Nb2O7织构陶瓷及其性能研究

采用模板晶粒生长(TGG)法制备了Sr2Nb2O7织构陶瓷,研究了其晶体结构、介电和压电性能等的各向异性。结果表明,Sr2Nb2O7织构陶瓷沿<0 l 0>晶面取向,其取向度为0.78。Sr2Nb2O7织构陶瓷的居里温度为1328℃,其压电、介电性具有明显各向异性特征。Sr2Nb2O7垂直方向(SNO┴)样品的压电常数为2.8 pC/N,650℃时电阻率为5.6×10^4Ω•cm。

NiCo_2O_4纳米线对H_2O_2电还原的催化性能

以无模板生长法制备了泡沫镍载NiCo2O4纳米线正极材料,XRD和SEM表征结果表明,所得材料为NiCo2O4纳米线,以循环伏安法和计时电流法研究了泡沫镍载NiCo2O4纳米线对H2O2电还原的催化性能.结果显示,在0.4 mol/L H2O2和3.0 mol/L NaOH溶液中,当电压为-0.4 V(vs.Ag/AgCl)时,循环伏安的电流密度达到125 mA/cm2;当电压为-0.2,-0.3和-0.4 V时,在30 min的测试时间内,计时电流密度几乎均为一常数,表明以泡沫镍载NiCo2O4纳米线为催化剂电还原H2O2具有很高的活性和很好的稳定性.

一维ZnO纳米材料制备技术研究进展

氧化锌可用于透明导电膜、表面声波器件、真空荧光显示器、气体传感器、光激射激光器、紫外光探测器等，有广泛发展的产业化前景。近年来，一维ZnO纳米材料（纳米线、纳米带、纳米管等）的制备和应用已成为研究热点。综述了一维ZnO纳米材料制备方法的最新进展。

Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3基无铅压电织构陶瓷的制备

选择0.92Na0.5Bi0.5TiO3-0.08BaTiO3作为研究对象,以具有各向异性的一维针状和二维片状的籽晶作为模板,采用(反应)模板生长法法制备无铅压电织构陶瓷。结果表明:以片状Bi2.5Na3.5Nb5O18为籽晶模板制备了0.92Na0.5Bi0.5TiO3-0.08 BaTiO3织构陶瓷,而以针状KSr2Nb5O15为籽晶模板未制备出织构陶瓷,其主要原因是针状KSr2Nb5O15定向分布困难,其表面存在晶体缺陷而导致晶粒异常生长而未获得织构陶瓷。

泡沫镍负载的NiCo_2O_4纳米线阵列电极的超级电容性能

采用无模板自然生长法制备了泡沫镍支撑的NiCo2O4纳米线阵列电极,利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观测了纳米线的表面形貌,利用X射线衍射(XRD)分析了纳米线的结构,通过循环伏安、恒流充放电和交流阻抗测试了电极的超级电容性能.结果表明:NiCo2O4纳米线直径约为500-1000nm、长度约为10μm,垂直且密集地生长在泡沫镍骨架上.纳米线阵列电极的放电比容量高达741F·g-1,循环420次后比容量仍保持在655F·g-1,电化学阻抗测试其电荷传递电阻仅为0.33Ω,420次循环后电荷传递电阻仅增加0.06Ω.

模板晶粒生长技术制备SrBi_2Nb_2O_9织构陶瓷

以熔盐法制备的片状SrBi2Nb2O9晶体为模板剂,采用模板晶粒生长技术和流延法制备了Sr-Bi2Nb2O9织构陶瓷,研究了模板含量对SrBi2Nb2O9织构陶瓷烧结行为、织构度、显微结构的影响。结果表明:模板含量为10wt%时,1200℃保温2h烧结可获得体积密度最大的SrBi2Nb2O9织构陶瓷,模板含量继续增加,体积密度降低;织构陶瓷的晶粒尺寸随模板含量的增加而逐渐增大,且晶粒取向性生长趋于明显,当模板含量为10wt%时,织构化SrBi2Nb2O9陶瓷的晶粒取向率f达到最大值,为0.81;织构化陶瓷的压电常数d33达到13pC/N,高于固相法制备的陶瓷的压电常数。

Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3织构化陶瓷制备与表征

采用凝固法制备出各向异性的片状钛酸钡作为模板,利用模板晶粒生长(TGG)法制备出Na0.5K0.5NbO3(NKN)织构化陶瓷.研究了NKN织构化陶瓷的工艺、组织和性能.研究结果表明,钛酸钡可以作为NKN陶瓷的模板,在陶瓷烧结过程中诱导NKN晶粒的生长,模板的取向决定了NKN陶瓷晶粒取向,随着烧结温度的升高陶瓷的压电性能(d33)达到69 pC/N,在合理的烧结工艺下得到了取向比较明显的织构化陶瓷.

Bi0．5Na0．5TiO3无铅压电陶瓷的结构有序化控制

以片状SrTiO3晶粒作为模板,使用模板晶粒生长法(TGG)控制制备[001]取向的有序化Bi0.5Na0.5TiO3压电陶瓷,同时研究了过量Bi2O3、烧结温度以及掺MnO对Bi0.5Na0.5TiO3有序度的影响.研究结果表明,过量Bi2O3的最佳掺入量为BNT粉料质量的1%;1 190℃是合适的烧结温度,在1 190℃下,BNT-1试样的有序度相对较高,有序度为88.2%;MnO的加入有效地提高了试样的有序度,并且降低了试样的烧结温度,同时也使得烧结温度范围变窄.在烧结温度为1 170℃下,掺质量分数为0.3%MnO的BNT-1试样的有序度为91.1%.

SrTiO_3织构陶瓷的显微组织结构和介电性能

以片状的SrTiO3(ST)粉体为模板晶粒,以固相法合成的掺杂Bi2O3的SrTiO3粉体为基体粉料,采用反应模板晶粒生长法(RTGG)结合流延成型工艺制备出SrTiO3织构陶瓷,研究了烧结工艺参数对SrTiO3织构陶瓷显微组织结构和介电性能的影响规律。研究结果表明:SrTiO3织构陶瓷的晶粒沿(100)晶面择优取向生长,陶瓷的织构度随着烧结温度的升高和保温时间的延长而增大,在1550℃下保温16 h的陶瓷试样织构度最大,达到0.56。SrTiO3织构陶瓷的介电常数随着织构度的增加而增大,并呈现出介电各向异性。

Nb掺杂(Na0.5Bi0.5)0.93Ba0.07TiO3织构陶瓷电性能研究

织构技术是改善压电陶瓷性能的方法之一。采用模板籽晶生长法制备了不同Nb含量的(Na0.5Bi0.5)0.93Ba0.07Ti1-xNbxO3(NBBT-xNb,x=0,0.015,0.020,0.025,0.030)织构陶瓷,系统研究了Nb含量对铁电、介电及电致应变性能的影响。结果表明,采用模板籽晶生长法能够制备出物相纯净的NBBT-xNb织构陶瓷,且陶瓷的织构度随着Nb含量增加先降低后略有增加。室温下,在x=0时电致应变达到了0.249%,与非织构样品相比提高了60%~80%。在x=0.015时室温电致应变值达到了最高值0.325%,并且Nb的掺入显著提高了NBBT织构陶瓷的热稳定性。此外,首次在NBT基织构陶瓷中观测到了新的介电异常现象。这些研究结果将有助于NBT基陶瓷的进一步研究。

SrBi_2Nb_2O_9织构陶瓷各向异性的电性能

以熔盐法制备的片状SrBi2Nb2O9晶粒为模板晶粒,固相法制备的SrBi2Nb2O9为基体粉料,采用模板晶粒生长技术和流延法制备了SrBi2Nb2O9织构陶瓷。研究了SrBi2Nb2O9织构陶瓷沿a-b平面方向和c方向的介电、压电及铁电性能,发现SrBi2Nb2O9织构陶瓷的性能呈现出显著的各向异性,其a-b平面方向的介电常数ε3T3/ε0达186,tanδ仅有0.003,压电常数d33=13pC/N,剩余极化强度Pr=10.3μC/cm2,矫顽场强Ec=4.6kV/mm,均明显优于c方向的电性能。

SrBi_2Nb_2O_9织构陶瓷的电性能研究

以熔盐法制备的片状SrBi2Nb2O9晶体为模板晶体,固相法制备的SrBi2Nb2O9为基体粉料,采用模板晶粒生长技术和流延法制备了SrBi2Nb2O9织构陶瓷。研究了模板晶体含量对陶瓷的显微结构和介电、压电、铁电性能的影响。结果表明:模板含量为10%时,陶瓷的致密度和织构度最大,垂直于流延方向的介电常数随频率增加变化不大,无介电频率弛豫现象,陶瓷的介电损耗最小;与固相法相制备的陶瓷相比,适度的织构化有利于提高陶瓷的压电性能,模板晶体引入过多,反而降低陶瓷的压电和铁电性能。

织构化钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备与性能研究

用熔盐法制备了片状Bi4Ti3O12模板,由Bi4Ti3O12片状前驱体制备了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)模板,由模板晶粒生长法制备了织构化0.91Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3-0.03K0.5Na0.5NbO3陶瓷。研究了Bi4Ti3O12以及Bi0.5Na0.5TiO3两种模板及模板含量对Bi0.5Na0.5TiO3无铅压电体系织构化的影响及织构化陶瓷的压电性能。结果表明Bi0.5Na0.5TiO3模板比Bi4Ti3O12模板更适合用于此体系的织构化,并且,在加入质量分数15%的Bi0.5Na0.5TiO3模板时Bi0.5Na0.5TiO3陶瓷取向度达到87.3%。质量分数5%的BNT模板织构化的陶瓷在6×103 V/mm电场下应变达到0.226%,相较于随机取向陶瓷提高了48.7%。