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基于叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法
被引量:
6
1
作者
冯金花
胡松
+1 位作者
李艳丽
何渝
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期194-199,共6页
随着光刻机分辨力节点的提高,纳米级的高精度检焦技术变得愈发重要。针对投影光刻的特点,介绍了一种基于叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法。此方法基于三角法测量原理,通过光弹调制器和横向剪切板的光学调制、平行平板的相位调整,硅片位...
随着光刻机分辨力节点的提高,纳米级的高精度检焦技术变得愈发重要。针对投影光刻的特点,介绍了一种基于叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法。此方法基于三角法测量原理,通过光弹调制器和横向剪切板的光学调制、平行平板的相位调整,硅片位移的变化会引起调制光强发生正余弦变化。根据光强的正余弦变化,求出焦面位移量。经实验与数据分析,该方法具有纳米级的检焦精度,且具有实时性强、非接触等特点,能满足100 nm投影光刻中焦面检测的需要。
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关键词
测量
纳米检焦
相位解析
光弹调制
横向剪切板
原文传递
题名
基于叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法
被引量:
6
1
作者
冯金花
胡松
李艳丽
何渝
机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期194-199,共6页
基金
国家自然科学基金(61376110)
文摘
随着光刻机分辨力节点的提高,纳米级的高精度检焦技术变得愈发重要。针对投影光刻的特点,介绍了一种基于叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法。此方法基于三角法测量原理,通过光弹调制器和横向剪切板的光学调制、平行平板的相位调整,硅片位移的变化会引起调制光强发生正余弦变化。根据光强的正余弦变化,求出焦面位移量。经实验与数据分析,该方法具有纳米级的检焦精度,且具有实时性强、非接触等特点,能满足100 nm投影光刻中焦面检测的需要。
关键词
测量
纳米检焦
相位解析
光弹调制
横向剪切板
Keywords
measurement
nano focusing
phase analysis
photoelastic modulation
Savart plate
分类号
O436 [机械工程—光学工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法
冯金花
胡松
李艳丽
何渝
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
6
原文传递
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