一种用于静电保护的快速开启SCR器件

提出了一种用于提高静电泄放(ESD)保护器件开启速度的SCR器件(VSCR)。VSCR采用了新型的横向基区变掺杂结构(VLBD),其开启速度主要由寄生p-n-p和n-p-n晶体管的基区渡越时间决定,使用VLBD结构能够减小寄生双极型晶体管的基区渡越时间,从而提高SCR器件的开启速度。实验结果证明,在不增加掩膜版数量和芯片面积的前提下,相比于传统均匀基区掺杂的MLSCR器件,采用VLBD结构的VSCR器件的开启速度能够提高12%。