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基于横向多晶硅二极管的CMOS兼容热风速计
被引量:
3
1
作者
秦明
黄庆安
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期569-571,共3页
提出并试制了一种采用多晶硅横向二极管作为测温元件的CMOS兼容热风速计 .该风速计的加热元件和测温元件均采用多晶硅技术制造 ,工艺与CMOS兼容 .对横向多晶硅二极管的温度敏感特性调查发现 ,其正向电流随温度增加几乎呈线性增加 ,显示...
提出并试制了一种采用多晶硅横向二极管作为测温元件的CMOS兼容热风速计 .该风速计的加热元件和测温元件均采用多晶硅技术制造 ,工艺与CMOS兼容 .对横向多晶硅二极管的温度敏感特性调查发现 ,其正向电流随温度增加几乎呈线性增加 ,显示该多晶硅二极管具有负的电压温度系数 .其值约为 - 1 .8mV/K ,非常接近单晶硅上PN结的电压温度系数 - 2mV/K .采用CMOS工艺试制了由 8个横向多晶硅二极管组成的风速计结构 。
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关键词
CMOS兼容热风速计
横向多晶硅二极管
风速
风向
结构
制备
下载PDF
职称材料
题名
基于横向多晶硅二极管的CMOS兼容热风速计
被引量:
3
1
作者
秦明
黄庆安
机构
东南大学微电子机械系统教育部重点实验室
出处
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期569-571,共3页
基金
江苏省高新技术资助项目 (BG2 0 0 10 3 5 )
文摘
提出并试制了一种采用多晶硅横向二极管作为测温元件的CMOS兼容热风速计 .该风速计的加热元件和测温元件均采用多晶硅技术制造 ,工艺与CMOS兼容 .对横向多晶硅二极管的温度敏感特性调查发现 ,其正向电流随温度增加几乎呈线性增加 ,显示该多晶硅二极管具有负的电压温度系数 .其值约为 - 1 .8mV/K ,非常接近单晶硅上PN结的电压温度系数 - 2mV/K .采用CMOS工艺试制了由 8个横向多晶硅二极管组成的风速计结构 。
关键词
CMOS兼容热风速计
横向多晶硅二极管
风速
风向
结构
制备
Keywords
Anemometers
CMOS integrated circuits
Polysilicon
Temperature
Wind
分类号
TH765.4 [机械工程—精密仪器及机械]
TN37 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于横向多晶硅二极管的CMOS兼容热风速计
秦明
黄庆安
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
3
下载PDF
职称材料
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