1
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高压抗辐射横向扩散金属氧化物半导体的设计与研究 |
初飞
陈洪转
彭领
王瑛
宁静怡
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《辐射研究与辐射工艺学报》
CAS
CSCD
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2022 |
0 |
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2
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具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件 |
李春来
段宝兴
马剑冲
袁嵩
杨银堂
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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3
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LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究 |
冯永生
刘元安
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
0 |
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4
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高压LDMOS准饱和效应研究 |
翟宪振
吴海峰
罗向东
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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5
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高功率微波作用下半导体器件失效和防护分析 |
张越
周亮
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《安全与电磁兼容》
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2023 |
1
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6
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阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件 |
段宝兴
李春来
马剑冲
袁嵩
杨银堂
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
1
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7
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960~1400 MHz宽带功率放大器设计 |
程素杰
姚小江
丛密芳
王为民
高津
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《电子技术应用》
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2023 |
2
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8
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Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性 |
阳治雄
曾荣周
吴振珲
廖淋圆
李中启
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《半导体技术》
北大核心
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2023 |
0 |
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9
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SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展 |
杨帅强
刘英坤
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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10
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P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制 |
王佃利
李相光
严德圣
丁小明
刘洪军
钱伟
蒋幼泉
王因生
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
10
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11
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硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势 |
王佃利
刘洪军
吕勇
严德圣
盛国兴
王因生
蒋幼泉
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
7
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12
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高压LDMOS场极板的分析与设计 |
刘磊
高珊
陈军宁
柯导明
刘琦
周蚌艳
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
4
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13
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LDMOS微波功率放大器分析与设计 |
韩红波
郝跃
冯辉
李德昌
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
4
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14
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高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析 |
柯导明
陈军宁
时龙兴
孙伟锋
吴秀龙
柯宜京
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
3
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15
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新型的功率器件——射频LDMOS |
黄江
王卫华
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《微波学报》
CSCD
北大核心
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2006 |
13
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16
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基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究 |
刘斯扬
钱钦松
孙伟锋
李海松
时龙兴
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
2
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17
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钝化层质量对高压功率器件可靠性的影响 |
刘侠
夏晓娟
孙伟锋
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
2
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18
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新型缓冲层分区电场调制横向双扩散超结功率器件 |
段宝兴
曹震
袁嵩
袁小宁
杨银堂
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
1
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19
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微波功率LDMOS的工艺仿真及研制 |
冯彬
刘英坤
孙艳玲
段雪
董四华
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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20
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基于双匹配的高效大功率Doherty功率放大器 |
曾荣
周劼
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
2
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