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考虑通孔横向热传输效应的三维集成电路热分析
被引量:
7
1
作者
张岩
董刚
+1 位作者
杨银堂
王宁
《计算物理》
CSCD
北大核心
2013年第5期753-758,共6页
考虑横向热传输效应,构造一种包含通孔结构的叠层芯片三维热传输模型.在具体的工艺参数下验证叠层芯片层数、通孔密度、通孔直径和后端线互连层厚度对三维集成电路热传输的影响.结果显示,采用该模型仿真得到的各层芯片温升要低于不考虑...
考虑横向热传输效应,构造一种包含通孔结构的叠层芯片三维热传输模型.在具体的工艺参数下验证叠层芯片层数、通孔密度、通孔直径和后端线互连层厚度对三维集成电路热传输的影响.结果显示,采用该模型仿真得到的各层芯片温升要低于不考虑横向热传输时所得到的温升,差异最大可达10%以上,并且集成度要求越高,其横向热传输效应的影响越明显.该模型更符合实际情况,能够更准确地分析三维集成电路的各层芯片温度.
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关键词
三维集成电路
热
分析
硅通孔
横向热传输
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职称材料
题名
考虑通孔横向热传输效应的三维集成电路热分析
被引量:
7
1
作者
张岩
董刚
杨银堂
王宁
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《计算物理》
CSCD
北大核心
2013年第5期753-758,共6页
基金
国家自然科学基金(60606006)
陕西省科技统筹创新工程计划(011KTCQ01-19)
国防预研基金(9140A23060111)资助项目
文摘
考虑横向热传输效应,构造一种包含通孔结构的叠层芯片三维热传输模型.在具体的工艺参数下验证叠层芯片层数、通孔密度、通孔直径和后端线互连层厚度对三维集成电路热传输的影响.结果显示,采用该模型仿真得到的各层芯片温升要低于不考虑横向热传输时所得到的温升,差异最大可达10%以上,并且集成度要求越高,其横向热传输效应的影响越明显.该模型更符合实际情况,能够更准确地分析三维集成电路的各层芯片温度.
关键词
三维集成电路
热
分析
硅通孔
横向热传输
Keywords
3D IC
thermal management
through silicon via
horizontal thermal diffusion effect
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
考虑通孔横向热传输效应的三维集成电路热分析
张岩
董刚
杨银堂
王宁
《计算物理》
CSCD
北大核心
2013
7
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