可描述横向电场中外周神经兴奋的电缆方程

传统的电缆方程只能用于描述纵向电场中外周神经的兴奋 ,无法描述外周神经在横向电场作用下的兴奋。基于两阶段过程模型,提出一种改进的电缆方程 ,可以描述外周神经在横向电场中的兴奋 ,其结果和Struijk的离体实验数据相吻合。

血液在有横向电场的流道中的表观粘度

本文根据流体力学运动方程,电磁场Mazwell方程和描述血液特性的Casson方程,在一定近似条件下,从理论上分析了血液在横向电场中流动时的电粘性效应;导出了相应的表观粘度表达式;并设计了一个实验系统来观测血液在横向电场中流动的电粘性效应。实验结果和理论结果一致指出,在横向电场中,血液表观粘度与外加电压本身以及由此而引起的细胞定向的改变,电生化反应和红血球压积变化有关。当外加电压低于某值时,其值随外电压上升而增加;反之,其综合效应是血液表观粘度随电压上升而下降;实验还指出当电场的参量达到某一范围,血液凝聚过程发展迅速,这一结果为发展某些临床止血手段提供了依据。

外周神经在横向电场中的兴奋特性研究

传统的电缆方程和激励函数只能用于描述纵向电场中外周神经的兴奋 ,本研究提出一种基于两阶段过程的模型 ,可以描述外周神经在横向电场中的兴奋特性 ,结果显示径向的净内向电流是外周神经在横向电场中产生兴奋的原因 ,并且计算出横向电场的刺激阈值。此模型是对传统的电缆方程的补充。

横向电场作用下外周神经兴奋特性的实验研究

传统的外周神经电缆方程只能描述纵向电场刺激下外周神经兴奋,实验发现在脉冲磁场诱导的横向电场作用下也可使神经兴奋,从而揭示出需要进一步对感应电场兴奋外周神经的机理进行研究。本文研究了横向电场作用下外周神经的兴奋特性,以在体的人体正中神经为例研究了横向电场作用下外周神经兴奋点的位置、刺激阈值、及刺激阈值与纤维半径的关系,以离体的蟾蜍坐骨神经为例研究了刺激阈值与作用时间的关系。实验结果验证了改进的电缆方程的有效性。实验研究成果有助于磁刺激技术的进一步发展与应用。

电子在横向电场中的偏转——L应以偏转板中点算起的推证

电子束线的偏转是电磁实验中较为重要的实验之一。其电偏转公式:D=LVdV2l2d.在实验教材中L是以偏转板右端算起的。本文通过对电子在电极之间运动的详细分析表明L应该从偏转板中点至屏的距离。

横向电场激励的LiNbO3压电谐振器的仿真分析

该文对横向电场激励下的(yxl)-58°LiNbO3压电谐振器的高频振动进行了研究。首先,基于Mindlin一阶板理论,计算了压电谐振器的模态频谱关系,得到晶体基板长厚比;然后,利用有限元分析软件COMSOL Multiphysics建立了谐振器的三维有限元模型,通过增加厚度方向网格扫掠层数的方法,验证了仿真模型的网格无关性;其次,通过特征频率计算与频域计算得到了谐振器一阶厚度剪切模态频率值;最后,通过改变电极与晶体板质量比以及电极间距的大小,获得了不同尺寸参数对谐振器高频振动特性的影响规律。仿真分析结果表明,电极与晶体板的质量比同谐振器谐振频率成负相关,质量比越大,谐振频率越小;电极间距值与谐振频率成负相关,间距值越大,谐振频率越小。

横向电场作用下外周神经的兴奋模型

外周神经的兴奋机理研究是以神经生理学的电缆方程为基础,方程中的激励因子只与外电场沿神经方向的纵向电场分量有关。但实验表明垂直于神经走向的横向电场也可以兴奋外周神经,因而传统电缆方程不能客观反映外周神经兴奋实际过程而需要改进。本文基于两阶段过程,建立了横向电场作用下外周神经的兴奋模型,表明了在横向电场作用下沿朗飞氏结径向的净内向电流导致了神经兴奋,从而阐述了外周神经在横向电场中的兴奋机理,改进了经典电缆方程。模型通过了离体实验验证。此改进的电缆方程可以描述任意电场激励下的外周神经兴奋。

LDD MOSFET表面横向电场模型及其应用

本文提出了一种计算LDD(Light-Doped Drain)MOSFET表面横向电场的解析模型.该模型含LDD MOSFET几何和掺杂参数,可用以计算具有不同长度、结深及掺杂的轻掺杂漏区的LDD MOSFET表面横向电场,并可计算常规MOSFET和缓交漏MOSFET的表面横向电场.用该模型算得结果与用FD-MINIMOS进行数值计算得到的结果相符.基于该模型算得的电场结果,可计算衬底电流,并进而计算击穿电压.该模型可十分简便地确定LDDMOSFET的最佳几何参数的掺杂参数,为LDD MOSFET的设计提供便利的工具和快速的参数提取方法.

不同剂量F等离子体对GaN基器件横向电场分布的影响

随着科学技术的高速进步,以GaN为代表的第三代半导体材料凭借其高禁带宽度、高电子饱和速度、良好的工作稳定性等优点,在高温大功率、微波器件领域拥有越来越重要的地位.目前,由于F等离子体注入技术对提升AlGaN/GaN HEMT能够产生明显影响,因此,本文针对不同剂量氟等离子体处理对AlGaN/GaN器件的栅下横向电场分布进行了仿真模拟。

不同剂量氟处理对GaN基器件横向电场分布的影响

随着科学技术的高速进步,以GaN为代表的第三代半导体材料凭借其高禁带宽度、高电子饱和速度、良好的工作稳定性等优点,在高温大功率、微波器件领域拥有越来越重要的地位,由于目前CF4作为刻蚀剂广泛用于GaN 器件的栅槽刻蚀工艺中,因此研究氟等离子体对Al-GaN/GaN HEMT 器件的可能影响具有现实意义,本文针对不同剂量氟等离子体处理对AlGaN/GaN 器件的栅下横向电场分布进行了仿真模拟。

电子束在横向电场中偏转的定量分析

针对物理实验教材中对电子束的电偏转表达式没有详细的推证这一问题,分别用高中数理知识和大学数理知识严格推导出了这一表达式,证实了教材中公式的正确性并且加深了物理概念。推导过程中发现电子离开偏转板时轨迹的反向延长线与偏转板中线的交点到偏转板出口处的距离严格等于偏转板长度的一半。

电场增强金属Al和Ni诱导非晶硅横向结晶

本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶(MILC)相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管(TFT)中的应用。指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但场强超过一临界值后,则降低该速率,并基于电迁移效应较合理地解释了该现象。

电场增强Ni诱导非晶硅横向结晶及其电迁移效应

在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶。影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等。适当强度的电场能显著加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低。基于电迁移效应,给出较为合理的解释。

金属诱导a-Si横向结晶速率与外电场的关系

分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率。但场强超过某临界值后该速率降低。基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释。结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线。

外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响

综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释。对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率。

高速大像素CMOS图像传感器中钳位光电二极管形状设计的研究进展

采用钳位光电二极管(PPD)的CMOS图像传感器,由于其优异的性能,已成为图像传感领域中占主导地位的技术。然而,更大尺寸PPD的应用在电荷传输速度和效率方面存在挑战,特别是在微光、高速探测的场景中,传统的像素设计难以满足必要的性能标准。一种有效的方法是通过PPD的形状设计来提升大像素性能。首先全面概述了产生PPD横向电场的两种机制:边缘电场设计和钳位电压调制,并探讨了基于这两种设计策略的各种设计改进。然后总结了传输栅-浮空扩散(TG-FD)节点收集结构及像素整体布局优化的相关研究进展。此外,还研究了PPD的形状设计对暗电流的影响。通过全面分析PPD形状设计中采用的方法,为提升大像素设计提供了参考。

横向电动效应作用下微混合的数值模拟

微流体机械系统中电渗流的雷诺数一般都比较低,微通道内的混合主要通过扩散来完成,因此需要较长的距离和时间才能混合均匀。本文在一个二维微通道内施加横向电场,并讨论了不同横向电场强度、微电极对布置情况、壁面zeta电势等因素对微混合的影响。结果表明此方法可以有效地提高混合效率,增加横向电场强度和电极对密度可以明显提高混合效率,较小的zeta电势可以获得更好的混合效果。

非对称超结场效应晶体管设计和仿真

为了克服传统功率MOSFET通态电阻和击穿电压之间的矛盾,引入了超级结(SJ)器件,通过引入横向电场来提高击穿电压.针对工艺中非对称pillar的设计需求,建立了非对称的研究分析模型,通过引入影响设计的非对称因子k,分析了k的物理意义和修正了不同pillar比例下的k值来设计相关参数,推导出超结的设计解析表达式.为了验证设计的准确性,以沟槽栅SJ-MOSFET为器件,进行了仿真验证和比较,理论与仿真结果符合良好,可以用于超结MOSFET的设计指导.

A轴向生长各向异性单晶光纤的模式特征

分析了A轴向生长单晶光纤的电磁场方程、场的表达式、边界条件以及色散方程。数值分析了几个低阶模式的色散曲线和横向场分量的结构特性;精确求解了各向异性A轴向生长的单晶光纤的电磁场方程,得到了横向场分量的精确解。利用精确到一阶的边界条件,得到各向异性A轴向生长单晶光纤的色散方程。数值分析了强各向异性A轴向生长单晶光纤仅存在m阶基元模式时的色散曲线以及横向场分量的结构特性。

磁场重联中电子加速问题的物理分析和数值研究

观测表明耀斑中电子加速发生在软X射线耀斑环上方的磁重联区域.在重联电流片中被super-Dreicer电场直接加速似乎是产生能量在10keV^10MeV之间高能电子的最直接的方式.本文的结果证明纵向电磁场可以有效地将电子“锁”在重联电流片上,使得横向电场得以直接加速电子.对于解释产生相对论性粒子的脉冲式耀斑,这可能是一个有效的机制.