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外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响 被引量:1
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作者 王光伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期107-112,共6页
综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱... 综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释。对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率。 展开更多
关键词 金属诱导横向结晶 电场增强金属诱导横向结晶 扩散 固相反应 晶粒生长 交流电场
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电场增强金属Al和Ni诱导非晶硅横向结晶 被引量:4
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作者 王光伟 张建民 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期325-330,共6页
本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶(MILC)相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管(T... 本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶(MILC)相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管(TFT)中的应用。指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但场强超过一临界值后,则降低该速率,并基于电迁移效应较合理地解释了该现象。 展开更多
关键词 金属诱导横向结晶 电场增强横向诱导结晶 扩散 固相反应 晶粒生长
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电场增强Ni诱导非晶硅横向结晶及其电迁移效应 被引量:1
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作者 王光伟 张建民 +1 位作者 张平 许书云 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期588-592,共5页
在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶。影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等。适当强度的电场能显著加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低。基于电迁移... 在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶。影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等。适当强度的电场能显著加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低。基于电迁移效应,给出较为合理的解释。 展开更多
关键词 金属诱导横向结晶 电场增强横向诱导结晶 扩散 固相反应 电迁移 晶粒生长
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金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子应力退化特性及模型研究
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作者 朱臻 《苏州大学学报(工科版)》 CAS 2007年第1期7-11,共5页
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面,研究了热载流子(HC)应力下,N型金属诱导横向结晶(MILC)LTPS TFT器件退化特性及模型。
关键词 多晶硅薄膜晶体管 金属诱导横向结晶 热载流子退化 可靠性 开态特性 关态特性
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金属诱导a-Si横向结晶速率与外电场的关系
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作者 王光伟 姚素英 +1 位作者 王雅欣 刘颖 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第15期18-21,共4页
分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场... 分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率。但场强超过某临界值后该速率降低。基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释。结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线。 展开更多
关键词 电场增强横向诱导结晶 扩散 电迁移 晶粒长大
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金属诱导非晶硅(横向)结晶的扩散诱导模型
6
作者 邱春文 罗以琳 《汕头大学学报(自然科学版)》 2004年第1期46-49,54,共5页
为了能定性定量解释金属诱导非晶硅薄膜结晶实验中所遇到的一系列现象 ,提出一套扩散诱导结晶模型 。
关键词 金属诱导结晶 非晶硅薄膜 扩散诱导模型 半导体 横向结晶
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非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶 被引量:1
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作者 王光伟 张建民 +1 位作者 倪晓昌 李莉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期356-366,共11页
分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用。概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等。对电... 分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用。概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等。对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释。 展开更多
关键词 金属诱导结晶 金属诱导横向结晶 固相反应 扩散 电场增强横向诱导结晶 成核激活能 晶粒生长
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金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性
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作者 鄢波 张匡吉 +4 位作者 施毅 濮林 韩平 张荣 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期712-716,共5页
研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/aSi量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的aSi层横向结... 研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/aSi量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的aSi层横向结晶制备出高质量的Ge/Si量子点超晶格结构.通过光学显微镜、电子显微镜和显微喇曼光谱等手段测量研究表明,与单一aSi系统的金属Ni诱导相似,该多层结构中的各αSi层退火后也具有(110)择优取向,同时晶粒的直径较大,约在4~5μm左右.Ge点中的应力状态的变化揭示出诱导结晶后形成高质量的晶态Si与Ge纳米点界面. 展开更多
关键词 Oe/Si量子点多层结构 低压化学气相沉积 金属诱导横向结晶
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基于CsPbBr_3量子点与C8-BTBT复合薄膜光学稳定性的研究 被引量:1
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作者 张春雨 黄玲玲 +4 位作者 李博 胡鹏 陈幸福 王向华 胡俊涛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期360-366,共7页
为了改善全无机钙钛矿CsPbBr_3量子点的稳定性,提出了一种基于量子点和小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的复合体系。由于CsPbBr_3量子点与小分子晶格在a,b轴方向尺寸相近,小分子材料在量子点表面产生取向外延,形成钝化层... 为了改善全无机钙钛矿CsPbBr_3量子点的稳定性,提出了一种基于量子点和小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的复合体系。由于CsPbBr_3量子点与小分子晶格在a,b轴方向尺寸相近,小分子材料在量子点表面产生取向外延,形成钝化层,有效抑制了光照、水汽环境下CsPbBr_3量子点表面的缺陷数量以及引起的非辐射跃迁过程。结果表明,在6天光照时间测试内,CsPbBr_3/C8-BTBT复合薄膜的荧光强度降率从99.32%降至37.42%,同时复合薄膜的荧光量子产率仍能保持初始值的44.60%;45min水汽测试时间内,复合薄膜的荧光强度降率从94.72%降至33.47%。该复合体系实现了CsPbBr_3量子点表面钝化层的生长,从而实现光照、水汽环境下的稳定性的提升。 展开更多
关键词 钙钛矿量子点 2 苯并噻吩并[3 2-b]苯并噻吩 稳定性 荧光强度 横向结晶
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耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响
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作者 朱臻 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第2期43-46,共4页
研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实... 研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实验上进一步确认这种效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.发现在热载流子应力下,正、反向测量模式时,氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电均随应力时间的增加而减小.但由于漏极和源极附近沟道区的表面势受热空穴注入影响的程度不同,热载流子应力下,正、反向测量模式的热产生漏电减小程度不同.理解热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响,有助于成功设计电路. 展开更多
关键词 金属诱导横向结晶 多晶硅薄膜晶体管 热载流子应力 热产生漏电 耗尽区调制效应
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