沿光轴通光的LiNbO_3的横向电光调制特性

为了克服现有电光器件的缺陷,选取晶体生长工艺成熟、价格低廉、折射率及电光系数较大的LiNbO3作为电光晶体材料,研究了沿其光轴方向通光的横向电光效应。加工制作了x切、(xzl)45°切和y切3种不同切型的横向电光调制器,并对他们的调制性能做了实验分析。研究结果表明,沿LiNbO3光轴方向通光的横向电光调制有相同的电光参量,折射率感应主轴的位置与电场方向有关;3种不同切型的横向体电光调制器的零场泄露均很小,静态消光比均优于1 000∶1,半波电压实测值与理论值的相对误差不超过1.7%;相同调制电压下,它们的调制深度相同,且调制性能稳定。该项研究可为该类电光调制器件的设计和应用提供参考,拓展它们在光通信和光学测量领域的应用。

横向错位磁场调制型无刷双转子电机的工作机理与性能分析

针对传统对转推进电机旋转绕组带来的散热困难、可靠性差、动平衡难以保证等瓶颈问题,提出一种横向错位磁场调制型无刷双转子电机(TDMFM-BDRM)。该电机基于三维磁场调制原理进行工作,定子绕组因沿轴向均布而使定子侧不受周向力作用,使得电机两个转子受到实时等大反向电磁转矩作用,非常适用于对转推进领域。此外,TDMFM-BDRM采用无端部的环形绕组结构,节省了大量空间。该文首先介绍TDMFM-BDRM的拓扑结构并分析其工作机理和运行特性;然后通过有限元仿真分析其三维气隙磁场调制行为和电磁特性;最后对比传统对转推进电机与TDMFM-BDRM的结构特点和电磁性能,结果表明,TDMFM-BDRM具有更强的转矩输出能力和更高的可靠性。

无偏光元件横向磁场调制塞曼原子吸收光谱分析法研究

本文报导了作者提出的一种新的塞曼原子吸收光谱（ＺＡＡＳ）法，即无偏光元件横向磁场调制ＺＡＡＳ法。由研究ＺＡＡＳ仪器中偏光元件的作用机理入手，分析讨论了谱线塞曼分裂中π成分之作用，提出用数学模型方法补偿偏光元件作用的构想，和理论计算研究。系统地用实验考证和修正补偿模型工作。系统地做了２０个常见元素的补偿模型研究和分析性能测试。

光调制技术及器件

TM564 96010469微型Z一切LiNbO3电一光干涉型开关=MiniatureZ—cutting LiNbO3 electro—optical interfer-ence switching[会,中]/袁一方（华东工业大学）∥第六届纤维光学集成光学学术会议。—成都,94.10研制了一种微型体器件,可用于光通信及一般的光学技术中。设计上采用了反射光路和横向调制可获得比一般器件低得多的开关电压,达到70伏左右。

光调制技术及器件

TN761 98010488GexSi1-x电光调制器与探测器的集成=Integrationof the GexSi1-xelectro-optic modulator anddetector[刊,中]/李国正,高勇,刘恩科（西安交通大学.陕西,西安（710049））//固体电子学研究与进展.-1997,17（1）.-87-91在GexSi1-x电光调制器和探测器已经问世的基础上,提出了一种将它们集成起来的结构,通过原理和工艺技术的分析,认为这种光电集成是完全可以实现的。图4参6（李瑞琴）TN761 98010489应用双面电极的PLZT横向电光调制器电场的精确解=Exact analysis of the electric field for transverseelectro-optic modulator using doublesidedelectrodes[刊,中]/叶宇煦,曾庆济,段耀明（上海交通大学光纤技术研究所.上海（200052））//光学学报.-1997,17（5）.

基于电光效应的几种光纤电压传感器

本文介绍了横向调制式与纵向调制式、透射式与反射式、分压式与无分压式、分立式与组合式、单光路式与双光路式。

ADP晶体电光系数测量

用静态法测量了ADP晶体的电光系数 ,在波长 6 32 .8nm ,γ6 3=8.14± 0 .1× 10 - 12 m/V ,γ4 1=2 2 .2± 0 .2× 10 - 12 m/V ,在 4 88nm ,γ6 3=8.0 7± 0 .1× 10 - 12 m/V ,γ4 1=2 2 .9± 0 .2× 10 - 12 m/V ,实验值与文献基本一致。

介质阻挡放电系统中不同对称性斑图的演化

利用双水电极实验装置,在介质阻挡放电系统中观察到了具有不同空间对称性的斑图之间的演化过程.在实验中,通过改变外界驱动电压发现:在升高电压的过程中,条纹斑图会发生失稳,并逐渐形成六边形斑图;形成规则的六边形斑图后,降低驱动电压,六边形斑图会失稳再次形成条纹结构.进一步降低驱动电压,在条纹斑图中观察到了横向调制失稳现象.

铌酸锂Z向通光的光学电压传感器设计研究及现场应用

基于Pockels效应,选取具有较高电光系数的LiNbO3晶体,采用横向调制方式,设计制作了光学电压传感器,以Z向通光消除自然双折射对传感器响应特性的影响。分别在实验室和户外搭建试验平台测试传感器的各项特性,并与非接触感应单元组合使用,挂网试运行于南方电网兴仁±500kV换流站进行过电压在线监测,传感器的实验结果及试运行状态表明该传感器具有较高工程应用价值。

光学电压互感器内电场结构设计与优化

介绍光学电压互感器(optical voltage transducer,OVT)的原理,提出基于横向调制的110 kV电压等级OVT的初步结构设计,利用有限元电磁场软件对其内电场进行仿真。仿真结果表明,OVT内部某些部位的电场分布较为集中,影响晶体内电场的均匀性。合理配置均压环和充入SF6绝缘气体可以减小场聚集效应,降低电场强度,改善晶体内电场的均匀性。最后,根据一系列仿真数据,设计了满足0.1级准确度,内电场最大电场强度仅为22.1 kV/cm的OVT结构,为下一步原理样机的研制提供参考。

光电式电流互感器的现状和发展

本文总结和分析了光电式电流互感器试运行的情况，并介绍了国内外这种互感器的研究现状。

横向交、直流电流对蓝青铜K_(0.3)MoO_3的I-V特性的调制效应

通过I V特性测量 ,研究了横向交、直流电流对蓝青铜K0 3 MoO3 中电荷密度波 (CDW )动力学行为的影响 .实验结果表明 ,无论是直流还是交流 ,随着横向调制电流的增大 ,CDW滑移的阈值电场均会相应地减小 ;但横向交流电流的调制效应较小 ,可能更接近本征的效应 .

基于普克尔效应光学电压互感器的研究现状与设计

介绍了基于普克尔效应光学电压互感器的基本原理,分析比较了几种常见的基于普克尔效应的光学电压互感器传感头的结构;介绍了基于普克尔效应的光学电压互感器的国内外发展现状;设计了一种基于普克尔效应的横向调制反射式光学高压互感器。

低密等离子体通道中的非共振激光直接加速

在低密等离子体通道中,横向有质动力可以有效调制电子的横向振荡过程.一方面,横向有质动力可以向外推动电子,增大电子横向振荡振幅,减小失相率,使电子获得能量增益;另一方面,横向有质动力也可以通过对失相率的非线性调制来降低失相率,在电子横向振荡振幅很小的情况下导致激光直接加速.横向有质动力调制的大小由等离子体密度、激光强度和束宽共同决定.三维模型结果也证实可以通过参数放大实现激光直接加速,弥补了准二维模型的局限性.

对人工合成金刚石的三阶非线性光学极化率的研究

金刚石是一种有着许多优异的物理、化学性质的宽禁带半导体材料,因而它被视作适宜制作光电子器件的材料。基于克尔效应理论,我们设计了一种简便易行的测量合成金刚石的三阶非线性光学极化率的方法。在实验中,我们搭建了横向电光调制系统,以人工合成的Ⅰ型金刚石为样品,测量出在光波长为650nm时合成金刚石单晶的三阶非线性光学极化率张量中的元素χ1212(2)=2.17×10-23m2V2。

硅材料外加直流电场诱导的线性电光效应

在直流电场作用下,硅单晶的反演对称性被破坏,从而诱导产生二阶非线性光学效应。主要研究了硅材料在外加直流电场作用下诱导产生的场致线性电光效应。以沿(111)面切割的近本征硅材料为样品,采用平行板电容器结构,通过横向电光调制实验,观测到在不同直流偏压下,电光信号随调制电压而线性增加,且直流偏压越大,电光信号增加的斜率越大。进一步的研究表明:硅材料场致线性电光信号的大小随直流偏压的增加而线性增加。这种场致线性电光效应可被用于制作新型的硅基高速电光调制器。

空间光通信中高频率大功率激光调制器分析及设计

空间光通信中激光调制器的调制频率和输出光功率直接影响光通信速率和链路距离。为兼顾高调制频率和大输出光功率两个指标,提出采用横向调制、组合调制等方法,开展铌酸锂晶体结构及参数优化、光耦合设计及功率计算、射频驱动源设计、自动偏置设计等关键技术分析,设计了一个最高调制频率达1238MHz,输出光功率大于1W的激光调制器,其半波电压约266V,调制深度约1.39rad,折减系数约0.99,消光比约20dB。实验证明,激光调制器的设计指标和实验结果基本相符,成功地应用于误码率优于10-9,链路距离大于7km的空间光通信地面演示验证实验中,具有应用于临近空间、深空光通信的可行性。

反射式电光调制非互易相位调制器设计

基于反射式电光相位调制原理与偏振器、法拉第旋光器结合,提出了一种用于光纤环形干涉仪的非互易相位调制方案。其结构利用铌酸锂晶体不同切向电光特性,构成环形干涉仪上顺逆两束可调相位干涉信号,特别是引入信号能量损耗较小的全反射棱镜,实现非互易相位调制,有效降低了相位调制器半波电压。实验测得反射(调制两次)结构相位调制半波电压比透射(调制一次)下降一半,并用于光纤环形干涉仪调试,获得检测信号与调制信号相位线性相关,为下一步原理样机的研制提供可行性参考。

塞曼原子吸收光谱仪器中磁光调制方法研究

本文从磁光调制观点,分别讨论了偏振光调制和磁场调制两种类型塞曼原子吸收光谱仪器的结构及设计关键,本文还对无偏光元件横向磁场调制(经补偿)

硅材料的场致线性电光效应

从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应,系统的半波电压小于170 V,从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号,以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致,也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。