光调制技术及器件

TN761 98010488GexSi1-x电光调制器与探测器的集成=Integrationof the GexSi1-xelectro-optic modulator anddetector[刊,中]/李国正,高勇,刘恩科（西安交通大学.陕西,西安（710049））//固体电子学研究与进展.-1997,17（1）.-87-91在GexSi1-x电光调制器和探测器已经问世的基础上,提出了一种将它们集成起来的结构,通过原理和工艺技术的分析,认为这种光电集成是完全可以实现的。图4参6（李瑞琴）TN761 98010489应用双面电极的PLZT横向电光调制器电场的精确解=Exact analysis of the electric field for transverseelectro-optic modulator using doublesidedelectrodes[刊,中]/叶宇煦,曾庆济,段耀明（上海交通大学光纤技术研究所.上海（200052））//光学学报.-1997,17（5）.

ADP晶体电光系数测量

用静态法测量了ADP晶体的电光系数 ,在波长 6 32 .8nm ,γ6 3=8.14± 0 .1× 10 - 12 m/V ,γ4 1=2 2 .2± 0 .2× 10 - 12 m/V ,在 4 88nm ,γ6 3=8.0 7± 0 .1× 10 - 12 m/V ,γ4 1=2 2 .9± 0 .2× 10 - 12 m/V ,实验值与文献基本一致。