一种用于横向高压器件的曲率结扩展技术

提出一种用于横向高压器件的曲率结扩展技术,并在横向双扩散MOSFET(LDMOS)上进行了实验验证。该技术采用一个轻掺杂的p-sub层,插入LDMOS的曲率结区域,从而将高掺杂的小曲率半径p-body/n-drift突变结调整为低掺杂的大曲率半径p-sub/n-drift结,降低了p-body/n-drift突变结的电场峰值,避免了在该处发生提前的雪崩击穿。该技术已成功应用于超结LDMOS,实验结果显示,应用了该技术的超结器件击穿电压达800 V。